t******e
发帖数: 2504 | 1 http://wccftech.com/tsmc-7nm-finfet-june-2018-mass-production/
7nm FinFET chip， 去年4月试产，今年6月量产，而竞争对手三星的7nm,如果应用EUV
光刻机带来的问题解决得话，也得2019年，如果不顺利，那就不好说了。 |
T*R
发帖数: 36302 | 2 谁能科普一下，这种尺寸的改变，主要是提高效率降低成本还是性能也提高了？ |
t******e
发帖数: 2504 | 3 这个堂子动不动就说什么中国大陆把高端昂贵技术白菜化， 有是有，但很少，中土是
把中低档白菜化了，高档目前还谈不上。
半导体方面，如果有白菜化， 那也是美韩台技术竞争的结果，竞争导致最新产品高端
昂贵， 落伍产品才白菜化， 这是规律，与那个国家或地区无关。 半导体行业所谓白
菜花运动，没一点中土的事。 |
t******e
发帖数: 2504 | 4 比10nm,要快30%, 能耗减30%。
【在 T*R 的大作中提到】
: 谁能科普一下，这种尺寸的改变，主要是提高效率降低成本还是性能也提高了？
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t******e
发帖数: 2504 | 5 看了看台积电创始人张忠谋的简历， 原来老张也是2战后来美国的5千人之一，49年来
美， 54年MIT硕士毕业，然后在美工作。
TG自己的统计， 至1955年， 回去了1千过一点的人，估了一下， 占1/5-1/4之间， 看
来， 所谓的建国归国大潮， 实际上是不归大潮， 大多数都没有归国， 这与民国时代
绝大多数留美都回去的现象， 成了鲜明的对比。 |
t******e
发帖数: 2504 | 6 2007年，Foundry（代工） 世界排名没变， 台积电还是远远地在首位， 美国的GF是第
2，台湾的联电第3，三星第4，但三星基本上是所谓IDM, 代工比例很小，intel是完全
IDM,没有代工， 不在这个表里。
代工第5是中芯， 去年的发展速度低于这个代工行业的平均速度， 尽管有中国这个大
市场， 分析的原因是，还是技术问题，别家是10nm或至少14nm,中芯的28nm才勉强过关
，良率不好。
现在台积电的7nm就要量产了，在一年之内没有对手，独此一家，不可取代， 所有需要
7nm的fabless 顶尖芯片设计公司，如Apple/Qualcomm/NVIDIA/MediaTek， 有可能华为
的海思也在内， 都要找台积电代工生产。
这就意味着， 如果中国大陆要从美国增加进口半导体，除了美国自己的IDM型企业，及
自己的代工企业GF之外，台积电应该是大的受益者， 所谓中美贸易战会损害台湾半导
体之论，应该是无稽之谈！ |
t******e
发帖数: 2504 | 7 7nm FinFET， FinFET的发明者，加州伯克利的胡正明，出生北京，籍贯江苏金坛，
台大毕业，伯克利的PhD和教授，此人做过台积电的CTO, 台积电在FinFET方面的技术积
累起源于此人，据说三星追赶台积电， 也是从台积电挖人，主要是挖 FinFET的工艺。 |
P****R
发帖数: 22479 | 8 传苹果/高通/华为6月开始流片7nm芯片，台积电赚发
IT之家3月30日消息 来自台湾媒体digitimes的报道，业内人士透露，由于Nvidia和
Bitmain（比特大陆）的16nm和12nm芯片订单增加，台积电预计3月营收将反弹至新台币
1,000亿元（34.3亿美元）。
消息人士表示，台积电将在第二季度继续实现收入增长，因为向苹果及其无晶圆厂客户
发售7纳米芯片。据报道，高通Qualcomm、华为麒麟海思半导体和赛灵思同样也是采用
代工厂7纳米制程的台积电的无晶圆厂客户。
据消息人士称，台积电2018年全年收入预计将同比增长至少10%，主要由先进智能手机
SoC和加密电子货币采矿芯片的订单推动。消息人士指出，台积电计划于6月份将其7nm
FinFET技术推向量产。该流程将在第二季度开始实现收入，并称台积电将在7nm芯片工
艺上实现100%的市场份额。
此外，来自GPU供应商Nvidia和中国专用采矿ASIC供应商Bitmain的16nm和12nm芯片订单
于3月开始推动台积电的销售业绩。消息人士补充道，对比特币采矿芯片的强劲需求让
Bitmain成为台积电的顶级客户。
消息人士称，台积电还看到了联发科技12nm芯片订单的增长。联发科技将于4月份大量
出货最新具有AI功能的Helio P60移动SoC。 |
P****R
发帖数: 22479 | 9 TSMC：7nm高性能芯片6月流片，2019年试产5nm工艺
三星今天宣布了未来三年的半导体制造工艺路线图，将推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm
工艺，其中2020年的4nm工艺将是一个重大技术突破，将会采用全新的Multi Bridge
Channel FET结构（简称MBCFET，多沟道场效应管）解决现有FinFET晶体管的缺陷。无
独有偶，三星的老对手TSMC今天也召开了年度技术大会，虽然没有宣布三星4nm那样的
技术突破，不过TSMC表示10nm已经开始量产，7nm明年就能量产，5nm则会在2019年风险
试产。
TSMC公司联席CEO魏哲家在会议上提到他们已经累计服务了450多家代工伙伴，涉及移动
运算、高性能计算、自动驾驶及IoT物联网等领域，平均算下来每周新增一家客户。
在半导体制程工艺上，TSMC表示移动领域的10nm工艺已经量产，7nm已经有12个客户流
片，预计2018年量产，5nm则会在2019年风险试产。
高性能部分，7nm芯片在6月份会有流片——TSMC的高性能客户不多（相对移动、低功耗
产品来说），NVIDIA还有之前的AMD都算是高性能芯片用户，目前公开宣布7nm路线图的
也没几家，NVIDIA的7nm芯片大概没这么早，AMD倒是说今年晚些时候有7nm芯片流片，
不过时间也不太对得上。
虽然AMD之前公布的路线图中说7nm还是继续由GF代工，但是从之前双方的晶圆供应协议
来看，AMD在7nm节点保留了选择别的代工伙伴的权利，GPU这种高性能芯片转交给TSMC
代工也不是没可能。大家觉得AMD会重新回归TSMC代工的怀抱吗？赞成的加小超哥（id
：95101417）微信来聊聊。
除此之外，TSMC的16nm FFC芯片在车载电子领域也会有8款芯片流片，7nm工艺还将在
2018年通过AEC-Q100认证。
物联网方面，TSMC的55nm、40nm及28nm ULP工艺今年会有超过70款芯片流片。 |
P****R
发帖数: 22479 | 10 三星宣布将代工高通7nm 5G芯片，台积电一点不慌
看来，三星还是放不下高通……
日前，三星在其官网上正式宣布，高通未来的5G移动设备芯片将基于他们的7nm LPP（
Low-Power Plus）工艺制造，该技术节点会引入EUV（极紫外光刻）。 20180223-
samsung-qualcomm 2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工艺，预期可借此突破摩尔定
律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。同年7月，三星放言，在2018年
会比对手台积电更早地量产7nm。此番再次拿下高通大订单，意味着三星这项新工艺在
良品率上已经得到了较好的控制，即将开始量产。
另外，三星位于华城市(Hwaseong)的7nm厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料
赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市日程。 006ednc20180222三星位于韩国华城
的半导体工厂（Sources：三星官网）
韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华
城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩
圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在
近期公布。
比10nm FinFET好在哪？
三星在新闻稿中透露，比较当前的10nm FinFET工艺，7nm LPP EUV工序较少、良率较高
，将实现面积缩小40%、性能提升10%、功耗下降35%。在新工艺加持下，骁龙（
Snapdragon）5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄
型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力，旗舰机日常使
用满两天的好日子可能要来了！
有趣的是，高通在本月还推出了基于7nm工艺的X24基带，但是一款4G LTE产品，不知道
是不是三星参与打造，毕竟在这次的新闻稿中没有被证实。
而爆料大神Roland曾表示，高通的首款7nm AP是骁龙855，似乎找不出什么理由突然让
台积电横插入代工。
**“10年内高通都是我的！” **
另外，三星在2017年10月宣布正开发介于10nm和7nm的8nm中间工艺，同样是和高通合作
。三星表示，三星和高通的代工合作关系将至少维持10年，三星将授权“EUV光刻工艺
技术”给高通使用。
台积电真是要哭晕了吗？不见得，相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2
季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。
有微博网友@ 傲娇的小黄瓜酱 冷静分析了一下，认为“2019年初三星恐不能大规模量
产7nm EUV，而10nm优化的8nm无法满足高通旗舰芯片需求，于是骁龙855采用台积电7nm
；预计2020年三星和台积电7nm EUV都能顺利量产，高通再次选择与质优价低的三星合
作，也在情理之中。”
这里的855采用的是台积电的第一代7nm（DUV），而三星宣布合作的，应该要到骁龙865
了，属于第二代7nm工艺（EUV）。
此外，台积电采用5nm先进工艺的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明
年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、
三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。 |
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m***8
发帖数: 1786 | 11 这说的是2017年3月，还是2018？
怎么也看不出比特大陆怎么会现在大幅增加产能，不是到处ASIC矿机都在降价吗？
：中国专用采矿ASIC供应商Bitmain的16nm和12nm芯片订单 于3月开始推动台积电的销
售业绩。
： |
P****R
发帖数: 22479 | 12 2017年文章，提到2018年量产7nm。
【在 m***8 的大作中提到】
: 这说的是2017年3月，还是2018？
: 怎么也看不出比特大陆怎么会现在大幅增加产能，不是到处ASIC矿机都在降价吗？
:
: ：中国专用采矿ASIC供应商Bitmain的16nm和12nm芯片订单 于3月开始推动台积电的销
: 售业绩。
: ：
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t******e
发帖数: 2504 | 13 赫赫，居然还有人举报俺造谣，那个什么斑竹，还说属实。
指出来，那里造谣，TMD，还给老子搞什么5次不登陆的下贱伎俩。 |
c****h
发帖数: 4968 | 14 有技术，是不怕封锁的。台积电有了7纳米，还愁没有订单吗？
【在 t******e 的大作中提到】
: 赫赫，居然还有人举报俺造谣，那个什么斑竹，还说属实。
: 指出来，那里造谣，TMD，还给老子搞什么5次不登陆的下贱伎俩。
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m********5
发帖数: 17667 | 15 主要是降低成本，同一个电路以前要用40微米面积，现在只要10微米
意味着以前一张晶圆可以有2000个core,现在可以有8000个。
所谓性能提高只是堆电路晶体管数量，也就是同样面积下电路更复杂。
【在 T*R 的大作中提到】
: 谁能科普一下，这种尺寸的改变，主要是提高效率降低成本还是性能也提高了？
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m********5
发帖数: 17667 | 16 当然面积缩小还意味着对于大面积电路有良率上升的优势
比如都是4core一个die,以前如果有20%的core有缺陷，那么很可能只有30%的die能有
4core，其他都只能当成2core来卖。而现在就意味着有更多的4core die.
【在 m********5 的大作中提到】
: 主要是降低成本，同一个电路以前要用40微米面积，现在只要10微米
: 意味着以前一张晶圆可以有2000个core,现在可以有8000个。
: 所谓性能提高只是堆电路晶体管数量，也就是同样面积下电路更复杂。
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t******e
发帖数: 2504 | 17 你那个三星的报道，说什么3/4/5/6nm，预计在什么时候量产，都是没谱的事。
7nm过了再说吧，目前三星/intel/GF,都把赌注下在EUV上，似乎都遇到问题，能不能解
决，何时能够解决，目前还是未知。
这个EUV,号称是做7nm以下尺寸的， 现在包括台积电在内，都在用EUV做研发，台积电
也在做3-7nm的EUV路线，只不过多个心眼，用传统的immersion法率先开发成功了7nm,
比其它竞争对手快了至少半拍。
【在 P****R 的大作中提到】
: 2017年文章，提到2018年量产7nm。
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m********5
发帖数: 17667 | 18 7nm以下基本很难了，4nm学术界都很少用光刻鸟,如果是我投资的话，我就赌非硅片基
，非金属工艺。
,
【在 t******e 的大作中提到】
: 你那个三星的报道，说什么3/4/5/6nm，预计在什么时候量产，都是没谱的事。
: 7nm过了再说吧，目前三星/intel/GF,都把赌注下在EUV上，似乎都遇到问题，能不能解
: 决，何时能够解决，目前还是未知。
: 这个EUV,号称是做7nm以下尺寸的， 现在包括台积电在内，都在用EUV做研发，台积电
: 也在做3-7nm的EUV路线，只不过多个心眼，用传统的immersion法率先开发成功了7nm,
: 比其它竞争对手快了至少半拍。
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t******e
发帖数: 2504 | 19 那投资基本上要打水漂。
工业界不会搞太超前的东西，风险太大，而且，即使搞出来了，还不知道谁的好处。
DRAM是IBM发明的，而现在产业界前2是韩国。 NAND是日本人发明的，有趣的是，发明
人和当时服务公司东芝，后来闹矛盾了，东芝反而说NAND是intel发明的，而intel说是
那个日本人发明的，现在，东芝第3，intel第6， 前2位又是后进者韩国。
【在 m********5 的大作中提到】
: 7nm以下基本很难了，4nm学术界都很少用光刻鸟,如果是我投资的话，我就赌非硅片基
: ，非金属工艺。
:
: ,
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t******e
发帖数: 2504 | 20 如果做风险投资，那又是一回事， Venture是赌概率，20个中一个，就够了。
【在 t******e 的大作中提到】
: 那投资基本上要打水漂。
: 工业界不会搞太超前的东西，风险太大，而且，即使搞出来了，还不知道谁的好处。
: DRAM是IBM发明的，而现在产业界前2是韩国。 NAND是日本人发明的，有趣的是，发明
: 人和当时服务公司东芝，后来闹矛盾了，东芝反而说NAND是intel发明的，而intel说是
: 那个日本人发明的，现在，东芝第3，intel第6， 前2位又是后进者韩国。
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m********5
发帖数: 17667 | 21 谈不上风险和超前，作为房锥肯定要探究工艺极限，不然怎么知道成本曲线，怎么做质
控标准，怎么叫价？这个不论是不是要走光刻路线到3nm都有探究的必要。相反，如果
更换片基，那么一切都要变，他们历来积累的器件模型都没用了，那个才是真的冒险。
【在 t******e 的大作中提到】
: 那投资基本上要打水漂。
: 工业界不会搞太超前的东西，风险太大，而且，即使搞出来了，还不知道谁的好处。
: DRAM是IBM发明的，而现在产业界前2是韩国。 NAND是日本人发明的，有趣的是，发明
: 人和当时服务公司东芝，后来闹矛盾了，东芝反而说NAND是intel发明的，而intel说是
: 那个日本人发明的，现在，东芝第3，intel第6， 前2位又是后进者韩国。
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r******t
发帖数: 8967 | 22 Venture也是讲究短平快。非硅、非金属这种基础项目就政府玩得起。
【在 t******e 的大作中提到】
: 如果做风险投资，那又是一回事， Venture是赌概率，20个中一个，就够了。
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t****n
发帖数: 10724 | 23 中国需要弯道， 如果发明量子芯片， 这些都不是事， 一下子可以领导全世界 |
m********5
发帖数: 17667 | 24 天使就是要赌这种全新的玩意儿，不然没搞头
非硅，非金属，文章也发了那么多了，我看积累差不多了
就要有个契机，必须得它上的产品
【在 r******t 的大作中提到】
: Venture也是讲究短平快。非硅、非金属这种基础项目就政府玩得起。
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t******e
发帖数: 2504 | 25 这个，恐怕都不如老祖宗的阴阳八卦靠谱。
【在 t****n 的大作中提到】
: 中国需要弯道， 如果发明量子芯片， 这些都不是事， 一下子可以领导全世界
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P****R
发帖数: 22479 | 26 中国人搞出来。老母猪都能上树了。
【在 t******e 的大作中提到】
: 这个，恐怕都不如老祖宗的阴阳八卦靠谱。
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P****R
发帖数: 22479 | 27 看看进展。
三星劲头也很足。
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【在 t******e 的大作中提到】
: 你那个三星的报道，说什么3/4/5/6nm，预计在什么时候量产，都是没谱的事。
: 7nm过了再说吧，目前三星/intel/GF,都把赌注下在EUV上，似乎都遇到问题，能不能解
: 决，何时能够解决，目前还是未知。
: 这个EUV,号称是做7nm以下尺寸的， 现在包括台积电在内，都在用EUV做研发，台积电
: 也在做3-7nm的EUV路线，只不过多个心眼，用传统的immersion法率先开发成功了7nm,
: 比其它竞争对手快了至少半拍。
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r******t
发帖数: 8967 | 28 要比paper，那还不如去投资攻克癌症呢。
【在 m********5 的大作中提到】
: 天使就是要赌这种全新的玩意儿，不然没搞头
: 非硅，非金属，文章也发了那么多了，我看积累差不多了
: 就要有个契机，必须得它上的产品
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n****4
发帖数: 12553 | 29 怪不得古人说：生子当如张忠谋！
EUV
【在 t******e 的大作中提到】
: http://wccftech.com/tsmc-7nm-finfet-june-2018-mass-production/
: 7nm FinFET chip， 去年4月试产，今年6月量产，而竞争对手三星的7nm,如果应用EUV
: 光刻机带来的问题解决得话，也得2019年，如果不顺利，那就不好说了。
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m********5
发帖数: 17667 | 30 硬工的paper和千老不同，都是真刀真枪干，好多就是公司发的
你看现在SiC和GaN不是逐渐流行了嘛
【在 r******t 的大作中提到】
: 要比paper，那还不如去投资攻克癌症呢。
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t******e
发帖数: 2504 | 31 那台湾也是中国人，或叫华人，张忠谋还是大陆出来的。
至于什么发明新东西，带动新产业，华人圈子里几乎没有，包括台湾， 不过这没关系
，韩国人，一个诺贝尔科学方面的奖都没有，照样在半导体产业界呼风唤雨。
老老实实地按台湾和韩国的套路走下来就是了， 大陆过去是体制问题，比如DRAM厂几
乎和三星同时建的，但三星跟进并且超越，而大陆无锡那个厂，第2代产品扯皮就扯了
八年， 后来就没影了，这也是官商企业的通病， 什么这个所那个院，不能对他们有任
何幻想，他们在产业化方面不可能有任何作用，这是体制决定的。
现在的情况，倒是有半官半私的企业参与，但还有问题，参与方，比如紫光，不像是能
坐下来做事的主， 对资本操作更感兴趣，因为后者来钱快，他们能不能安心做实业，
是要打个问号。
业界领头人，应该是张忠谋， 或至少是曹得旺那样的主，能够专心做实业，不要搏2兔。
【在 P****R 的大作中提到】
: 中国人搞出来。老母猪都能上树了。
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P****R
发帖数: 22479 | 32 台湾的中国人已经脱胎换骨了。
【在 t******e 的大作中提到】
: 那台湾也是中国人，或叫华人，张忠谋还是大陆出来的。
: 至于什么发明新东西，带动新产业，华人圈子里几乎没有，包括台湾， 不过这没关系
: ，韩国人，一个诺贝尔科学方面的奖都没有，照样在半导体产业界呼风唤雨。
: 老老实实地按台湾和韩国的套路走下来就是了， 大陆过去是体制问题，比如DRAM厂几
: 乎和三星同时建的，但三星跟进并且超越，而大陆无锡那个厂，第2代产品扯皮就扯了
: 八年， 后来就没影了，这也是官商企业的通病， 什么这个所那个院，不能对他们有任
: 何幻想，他们在产业化方面不可能有任何作用，这是体制决定的。
: 现在的情况，倒是有半官半私的企业参与，但还有问题，参与方，比如紫光，不像是能
: 坐下来做事的主， 对资本操作更感兴趣，因为后者来钱快，他们能不能安心做实业，
: 是要打个问号。
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t******e
发帖数: 2504 | 33 谁是曹刘？
【在 n****4 的大作中提到】
: 怪不得古人说：生子当如张忠谋！
:
: EUV
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P****R
发帖数: 22479 | 34
【在 m********5 的大作中提到】
: 硬工的paper和千老不同，都是真刀真枪干，好多就是公司发的
: 你看现在SiC和GaN不是逐渐流行了嘛
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r******t
发帖数: 8967 | 35 SiC和GaN上世纪我老读大学的时候就在吹了。
【在 m********5 的大作中提到】
: 硬工的paper和千老不同，都是真刀真枪干，好多就是公司发的
: 你看现在SiC和GaN不是逐渐流行了嘛
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m********5
发帖数: 17667 | 36 老大SiC 2000年就商用了，可不是快20年了
【在 r******t 的大作中提到】
: SiC和GaN上世纪我老读大学的时候就在吹了。
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P****R
发帖数: 22479 | 37
【在 t******e 的大作中提到】
: 那投资基本上要打水漂。
: 工业界不会搞太超前的东西，风险太大，而且，即使搞出来了，还不知道谁的好处。
: DRAM是IBM发明的，而现在产业界前2是韩国。 NAND是日本人发明的，有趣的是，发明
: 人和当时服务公司东芝，后来闹矛盾了，东芝反而说NAND是intel发明的，而intel说是
: 那个日本人发明的，现在，东芝第3，intel第6， 前2位又是后进者韩国。
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t********e
发帖数: 1079 | 38 那你还赖在地上干啥，还不上树去？
【在 P****R 的大作中提到】
: 中国人搞出来。老母猪都能上树了。
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D***e
发帖数: 247 | 39 闪存东芝绝对排第二，SK不行
【在 t******e 的大作中提到】
: 那投资基本上要打水漂。
: 工业界不会搞太超前的东西，风险太大，而且，即使搞出来了，还不知道谁的好处。
: DRAM是IBM发明的，而现在产业界前2是韩国。 NAND是日本人发明的，有趣的是，发明
: 人和当时服务公司东芝，后来闹矛盾了，东芝反而说NAND是intel发明的，而intel说是
: 那个日本人发明的，现在，东芝第3，intel第6， 前2位又是后进者韩国。
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r******t
发帖数: 8967 | 40 Niche market不说明问题。MEMS商用了几十年了，不也就到此为止了？
【在 m********5 的大作中提到】
: 老大SiC 2000年就商用了，可不是快20年了
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m********5
发帖数: 17667 | 41 其实MEMS在RF和sensor上还不错啦,现在量很大。
【在 r******t 的大作中提到】
: Niche market不说明问题。MEMS商用了几十年了，不也就到此为止了？
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t******e
发帖数: 2504 | 42 联想到现代史， 1970年庐山会议后，老毛要对林派动手了，空军司令吴法宪肯定是跑
不掉的， 吴当时在空军的对手是副司令曹里怀和刘震。
于是老毛在南巡之际放风，摇头晃脑地背诵稼轩的京口北固亭那首词， “天下英雄谁
敌手？曹刘。生子当如孙仲谋”，说到这，老毛怕下面那些在地方当政的丘八们不懂其
暗喻， 作了解释，“曹刘， 就是曹里怀和刘震”， 既然曹里怀和刘震是天下英雄，
那么对立面吴法宪就是狗熊了。这个信号是再明显不过了。
【在 t******e 的大作中提到】
: 谁是曹刘？
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r******t
发帖数: 8967 | 43 呵呵，你不是干这块的吧。MEMS器件已经至少10年没本质性的突破了。
【在 m********5 的大作中提到】
: 其实MEMS在RF和sensor上还不错啦,现在量很大。
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P****R
发帖数: 22479 | |
t******e
发帖数: 2504 | 45 紫光旗下的长江存储32层NAND闪存，号称明年量产，不过，他们说话的信誉度还没有经
过检验， 愿他们一起如愿。
以前中芯也宣布过，2017年量产14nm, 很显然，自己搞不下去了，只好挖来梁孟松当共
同CEO, 把目标改为2019年了，估计这次应该能够搞成。
【在 P****R 的大作中提到】
: 紫光今年下半年到明年上半年开始量产什么芯片？
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P****R
发帖数: 22479 | 46 走着瞧。
【在 t******e 的大作中提到】
: 紫光旗下的长江存储32层NAND闪存，号称明年量产，不过，他们说话的信誉度还没有经
: 过检验， 愿他们一起如愿。
: 以前中芯也宣布过，2017年量产14nm, 很显然，自己搞不下去了，只好挖来梁孟松当共
: 同CEO, 把目标改为2019年了，估计这次应该能够搞成。
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P****R
发帖数: 22479 | 47 同意
【在 c****h 的大作中提到】
: 有技术，是不怕封锁的。台积电有了7纳米，还愁没有订单吗？
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P****R
发帖数: 22479 | 48
【在 r******t 的大作中提到】
: 呵呵，你不是干这块的吧。MEMS器件已经至少10年没本质性的突破了。
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c****h
发帖数: 4968 | 49 要是没有荷兰的进口光刻机，台湾有一百个张忠谋也做不起来。
EUV
【在 t******e 的大作中提到】
: http://wccftech.com/tsmc-7nm-finfet-june-2018-mass-production/
: 7nm FinFET chip， 去年4月试产，今年6月量产，而竞争对手三星的7nm,如果应用EUV
: 光刻机带来的问题解决得话，也得2019年，如果不顺利，那就不好说了。
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m******g
发帖数: 621 | 50 TSMC在光刻机上造诣很高。
193i（IMMERSION LITHOGRAPHY）是BURN LIN发明的，但是最后市场化是TSMC/IBM先搞
起来的。
INTEL晚了一代用的。
【在 c****h 的大作中提到】
: 要是没有荷兰的进口光刻机，台湾有一百个张忠谋也做不起来。
:
: EUV
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m******g
发帖数: 621 | 51 TSMC在光刻机上造诣很高。
193i（IMMERSION LITHOGRAPHY）是BURN LIN发明的，但是最后市场化是TSMC/IBM先搞
起来的。
INTEL晚了一代用的。
【在 c****h 的大作中提到】
: 要是没有荷兰的进口光刻机，台湾有一百个张忠谋也做不起来。
:
: EUV
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m******g
发帖数: 621 | 52 目前有些人看好MULTI-BEAM E-BEAM DIRECT ETCH。LAM RESEARCH的创始人开了一个
STARTUP.
非硅片是啥？III-V? 那玩意儿在小尺寸，VCC<1V下性能不如Si FinFET。目前看法是在
FinFET这种FULLY-DEPLETED器件中，III-V没有性能优势。更不要说各种生长（从硅衬
底）过程中DEFECTS。ASPECT-RATIO TRAPPING EPI只能解决一部分问题。
SiC, GaAs, GaN, InGaAs基本上只能做niche market，比如说高压高速器件。
MEMS基本上还是那一套，不过AVAGO/BROADCOM靠着FBAR活的还很滋润。DIGITAL上速度
基本没可能超过ELECTRONIC DEVICES。
不知道非金属工艺是啥？是说INTERCONNECT不用金属？
【在 m********5 的大作中提到】
: 7nm以下基本很难了，4nm学术界都很少用光刻鸟,如果是我投资的话，我就赌非硅片基
: ，非金属工艺。
:
: ,
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t**x
发帖数: 20965 | 53 人家是间谍
非常成功的间谍
大陆有潜质的不归，烂死在美国。。 |
t******e
发帖数: 2504 | 54 哦，才知道，查了查，的确来自他在1987年发表的论文， 不过那时他好像还在IBM，
后来被TSMC还是网罗过去，在2002年美国的一次研讨会上正式提出immersion
lithography), 以后是光刻机设备生产产家，日本的尼康和荷兰的ASML采用了他提出的
路线。
台湾在产业界还是出了不少人才，台积电的美国国家工程学院院士就有3个，张忠谋，
胡正明，还有这位，林本坚。
【在 m******g 的大作中提到】
: TSMC在光刻机上造诣很高。
: 193i（IMMERSION LITHOGRAPHY）是BURN LIN发明的，但是最后市场化是TSMC/IBM先搞
: 起来的。
: INTEL晚了一代用的。
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t******e
发帖数: 2504 | 55 新报道，TSMC的7nm(7FF, 没用EUV)已经量产了.
已经出了18个客户产品， 年底要到50个产品，包括mobile CPU, server CPU, network
processor, gaming, GPU, PGA, cryptocurrency, automotive and AI.
TSMC的下一步是2019年量产7FF+, 即用EUV路线的7nm, 功耗少10%，性能更强，据他们
说目前进展very encouraging。 再长远的，是2020年量产5nm.
http://www.anandtech.com/show/12677/tsmc-kicks-off-volume-production-of-7nm-chips |
t******e
发帖数: 2504 | 56 http://www.theverge.com/circuitbreaker/2018/4/27/17291040/intel-10nm-cannon-lake-chips-delayed-2019-cpu-processor
关于intel的新闻， 好消息是季节财报营收创了新高， 坏消息是又推迟10nm量产， 原
来是2016， 后修订到2018， 现再修订到2019。
现在量产的水平是， 台积电7nm, intel 14nm, 虽然intel说自己的14nm比得上台积电
10nm, 但从尺寸上， 落后2代了(7-10-14/16）， 看来intel迟早要走AMD的路子， 即
剥离芯片制造(foundry)部门， 成为芯片设计公司。 |
t******e
发帖数: 2504 | 57 在foundry方面， 基本上， 台积电和三星是第一梯队了， GF（就是AMD剥离下来的
foundry部门）是第2梯队， intel原来是第1梯队， 现在有向第2梯队滑落的趋势。
为什么美帝在这方面竞争不过台韩？ 有人说是美帝有意放台韩发财， 这好像说不过去
， 把自己的GF搞得每年亏本， 资本家有这样的善心？
我的理解， 有2个原因， foundry方面技术上已经进入细化阶段， 革命性的进步不多
， 相对而言东亚在这方面比较擅长，东亚式工蜂精神； 另一个是， 需要大资金的支
持， 所以政府无条件支持的资本制度的有优势。 日本有第一个优势， 但相对而言，
政府的支持度不如台韩。中国大陆有第2个优势， 但风气不好，在浮躁氛围中出不了细
活。 |
