B*****n
发帖数: 654 | 1 多次看到,在TEM衍射图上,会标出晶体结构如(100) (010)等
从TEM的衍射图上是怎么确定这些信息的?
有没有人知道? 说说
谢谢 | R****i
发帖数: 2387 | 2 单晶多晶电子衍射标定。
【在 B*****n 的大作中提到】
: 多次看到,在TEM衍射图上,会标出晶体结构如(100) (010)等
: 从TEM的衍射图上是怎么确定这些信息的?
: 有没有人知道? 说说
: 谢谢
| B*****n
发帖数: 654 | 3 这句话对我来讲,太高深了点.
这个是从TEM图上分析出来的?
还是从TEM仪器上做出来的?
谢谢
【在 R****i 的大作中提到】
: 单晶多晶电子衍射标定。
| m***c
发帖数: 1403 | 4 一句话很难说清楚，你得找本电子衍射的书从头看看，不难。
【在 B*****n 的大作中提到】
: 这句话对我来讲,太高深了点.
: 这个是从TEM图上分析出来的?
: 还是从TEM仪器上做出来的?
: 谢谢
| S*****n
发帖数: 6055 | 5 从衍射图上算出来的
【在 B*****n 的大作中提到】
: 这句话对我来讲,太高深了点.
: 这个是从TEM图上分析出来的?
: 还是从TEM仪器上做出来的?
: 谢谢
| T****i
发帖数: 2190 | 6 从电子衍射的图上量衍射点之间的距离和夹角关系，然后可以计算，或者match模拟的
衍射图
如果知道晶体结构的话可以在http://emaps.mrl.uiuc.edu/default.asp 里面build一个model，然后用这个软件生成不同晶带轴的衍射，和你实验得到的比较，这样兴许容易些
【在 B*****n 的大作中提到】
: 这句话对我来讲,太高深了点.
: 这个是从TEM图上分析出来的?
: 还是从TEM仪器上做出来的?
: 谢谢
| B*****n
发帖数: 654 | 7 各位大侠,能否给个例子.
怎么算,需要算那些东西
如图,根据标尺,我算出了长度和宽度,后面的我就不知道了.
长,为a = 2.8783
宽,为b = 1.064
听人说,这两个值的倒数就是分子间的距离, 1/a = 0.3647 nm; 1/b = 0.9868 nm
对否?
怎么才能标出那些晶体的性质,如(100)(010)之类的?
迷茫中........
【在 S*****n 的大作中提到】
: 从衍射图上算出来的
| m***c
发帖数: 1403 | 8 貌似你对Miller index也不是很熟悉，这样的话你确实需要好好看看晶体学的书再来
处理
这个问题。有些事是没法省的，看书吧
【在 B*****n 的大作中提到】
: 各位大侠,能否给个例子.
: 怎么算,需要算那些东西
: 如图,根据标尺,我算出了长度和宽度,后面的我就不知道了.
: 长,为a = 2.8783
: 宽,为b = 1.064
: 听人说,这两个值的倒数就是分子间的距离, 1/a = 0.3647 nm; 1/b = 0.9868 nm
: 对否?
: 怎么才能标出那些晶体的性质,如(100)(010)之类的?
: 迷茫中........
| S*****n
发帖数: 6055 | 9 你需要看点教材让自己变得高深点。。。
【在 B*****n 的大作中提到】
: 各位大侠,能否给个例子.
: 怎么算,需要算那些东西
: 如图,根据标尺,我算出了长度和宽度,后面的我就不知道了.
: 长,为a = 2.8783
: 宽,为b = 1.064
: 听人说,这两个值的倒数就是分子间的距离, 1/a = 0.3647 nm; 1/b = 0.9868 nm
: 对否?
: 怎么才能标出那些晶体的性质,如(100)(010)之类的?
: 迷茫中........
| B*****n
发帖数: 654 | | T*M
发帖数: 48 | 11 基本上你看D.B.Williams & C.B.Carter的那本TEM就可以了。
大家看你实在不懂都不知道怎么跟你说。你确实需要去上个TEM的课，带实验的那种。
如果你要的急呢，我简单跟你讲讲。
在TEM仪器的设置一定的情况下，你得到的reflection跟晶面间距的关系是一定的。怎
么去得到这个一定的关系呢？就是先用一个标准样品去标定一下，好象你照一朵花为了
说明它有多大需要放个手指在旁边一样。比如silicon. 在不同的camera length－－就
是diffraction mode的放大倍数下，不管你用什么记录，记录下一个硅的diffraction
pattern at zone(你要是zone也不知道，就需要先去学一下晶体学的课了). Si的
diffraction pattern是很好认的并且容易index，你量出一个reflection到(000)(
就是中心点，最强的那个)的长度。假如在CCD上Si(111)到(000)的距离在camera
length=20cm时是120 pixels, 对应～ 0.314 nm的晶面间距。那你就知道，以后在同样
的camera
【在 B*****n 的大作中提到】
: 那就看书吧, 有什么书值得推荐?
| B*****n
发帖数: 654 | 12 谢谢,
很详细,我先去"闭观",过段时间,分析出来后,再来请教
diffraction
【在 T*M 的大作中提到】
: 基本上你看D.B.Williams & C.B.Carter的那本TEM就可以了。
: 大家看你实在不懂都不知道怎么跟你说。你确实需要去上个TEM的课，带实验的那种。
: 如果你要的急呢，我简单跟你讲讲。
: 在TEM仪器的设置一定的情况下，你得到的reflection跟晶面间距的关系是一定的。怎
: 么去得到这个一定的关系呢？就是先用一个标准样品去标定一下，好象你照一朵花为了
: 说明它有多大需要放个手指在旁边一样。比如silicon. 在不同的camera length－－就
: 是diffraction mode的放大倍数下，不管你用什么记录，记录下一个硅的diffraction
: pattern at zone(你要是zone也不知道，就需要先去学一下晶体学的课了). Si的
: diffraction pattern是很好认的并且容易index，你量出一个reflection到(000)(
: 就是中心点，最强的那个)的长度。假如在CCD上Si(111)到(000)的距离在camera
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