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全部话题 - 话题: 10nm
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l**********1
发帖数: 5204
1
STORM 10nm is tricker for living imaging now
so SAXS optimized Beamline even world only had three or four : Geneva/Kobe/
Stanford/Jia-Ding Shanghai
then is better than STORM iPALM etc for 10nm scale living structure discovery.

个区间
l**********1
发帖数: 5204
2
STORM 10nm is tricker for living imaging now
so SAXS optimized Beamline even world only had three or four : Geneva/Kobe/
Stanford/Jia-Ding Shanghai
then is better than STORM iPALM etc for 10nm scale living structure discovery.

个区间
s******y
发帖数: 28562
3
来自主题: Biology版 - 请教:大分子能否进入Matrigel
不太懂你在问什么。你是想找一个方法来分开不同大小的球状物体(Sphere)? 还是
想找一种作为尺度分离柱(size exclusion column)的树脂胶体(resin Sphere)?
对于蛋白和特别小的球状物体(小于10nm),可以用滤膜或者分离柱来分开。分离柱材
料最常见的就是sephedex, 不同规格有不同的分离能力,具体看产品标定。
对于球状物体,如果体积比较大(超过10nm),可以用gradient centrifugation离心法
来分离。
b*******g
发帖数: 1309
4
你这个是要做实验还是计算
实验的话,我猜是不是NP团聚了,所以怎么也不可能 reverse 回来了
另外5nm 跟10nm 还是有很大的差别的,简单的理解是5nm 比10nm要稳定
至于为什么,要看你的体系了
W********1
发帖数: 17
5
要稳定剂不?surfactants? 加多少?
我是外行。我把10nm左右的iron分散在水里。结果一塌糊涂。请高人指点一下。我要得
结果也在10nm.
谢谢了。
J*******3
发帖数: 1651
6
太阳能转换效率研究回顾分析与未来展望
导读:
我国太阳能光电化学转换的研究以实现低价高效利用太阳能为目标,二十年来在不同材
料体系中研究了上百种材料,大大促进了光电转换材料特别是多晶、薄膜半导体及新一
代纳米结构半导体和有机/半导体复合材料的发展。
引言
进入二十世纪以来,人类的工业文明得以迅猛发展,由此引发的能源危机和环境污
染成为急待解决的严重问题,利用和转换太阳能是解决世界范围内的能源危机和环境问
题的一条重要途径。世界上第一个认识到光电化学转换太阳能为电能可能实现的是
Becquere1,他在1839年发现涂布了卤化银颗粒的金属电极在电解液中产生了光电流,
以后Brattain、Garrett及Gerisher等人先后提出和建立了一系列有关光电化学能量转
换的基本概念和理论,开辟了光电化学研究的新领域。1972年Honda和Fujishima应用n-
TiO2电极成功的进行太阳能光分解水制氢,使人们认识到光电化学转换太阳能为电能和
化学能的应用前景。从此,以利用太阳能为背景的光电化学转换成为一个非常活跃的科
学研究前沿。光电化学太阳电池的一个突出的特点是材料制备工艺简单,即使应... 阅读全帖
g*********n
发帖数: 808
7
【讨论】扫描电子显微镜的设计思想和工作原理
扫描电子显微镜的设计思想和工作原理,早在1935年便已被提出来了。1942年,英国首
先制成一台实验室用的扫描电镜,但由于成像的分辨率很差,照相时间太长,所以实用
价值不大。经过各国科学工作者的努力,尤其是随着电子工业技术水平的不断发展,到
1956年开始生产商品扫描电镜。近数十年来,扫描电镜已广泛地应用在生物学、医学、
冶金学等学科的领域中,促进了各有关学科的发展。
一.扫描电镜的特点
和光学显微镜及透射电镜相比,扫描电镜具有以下特点:
(一) 能够直接观察样品表面的结构,样品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。
(二) 样品制备过程简单,不用切成薄片。
(三) 样品可以在样品室中作三度空间的平移和旋转,因此,可以从各种角度对样品进
行观察。
(四) 景深大,图象富有立体感。扫描电镜的景深较光学显微镜大几百倍,比透射电镜
大几十倍。
(五) 图象的放大范围广,分辨率也比较高。可放大十几倍到几十万倍,它基本上包括
了从放大镜、光学显微镜直到透射电镜的放大范围。分辨率介于光学显微镜与透射电镜
之间,可达3nm。
(六) 电子束对样品的损... 阅读全帖
r*******r
发帖数: 1014
8
来自主题: Military版 - 说起劣根性,郭台铭最劣根了
不过是先做到20nm而已。
再过几年看看,能不能接着往下做到10nm吧。
t*******y
发帖数: 21396
9
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
至少还有10来年吧
K*******i
发帖数: 631
10
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
Nanoimprint lithography
Double patterning lithography
s**r
发帖数: 6678
11
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
NIL够呛。
c*********5
发帖数: 5813
12
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
EUV啊,用其他材料代替Si啊,你去看看roadmap就知道了
t******t
发帖数: 15246
13
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
哪里有的看
E*U
发帖数: 2028
14
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
你也知道EUV阿
c*********5
发帖数: 5813
15
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
ITRS roadmap啊
c*********5
发帖数: 5813
16
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
Extreme ultraviolet lithography 很多fab都在搞吧,比E-beam lithography还没前途
t******t
发帖数: 15246
17
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
关键不是做出来的问题,是做出来,可能输运性质也不是大样品那么简单啊。

前途
K*******i
发帖数: 631
18
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
比EUV靠谱儿
t******t
发帖数: 15246
19
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
E-BEAM不是已经是成熟技术了么

前途
K*******i
发帖数: 631
20
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
慢,刻mask还行,不能量产
t*******y
发帖数: 21396
21
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
说了那么半天都是Lithography的方法,没提怎么克服量子效应啊
s******p
发帖数: 4962
22
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
什么量子效应?
t*******y
发帖数: 21396
23
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
1和0咋确定
漏电
s******p
发帖数: 4962
24
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
什么叫1和0怎么确定?
t*******y
发帖数: 21396
25
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
主要还是漏电
s******p
发帖数: 4962
26
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
从哪到哪的漏电?
K*******i
发帖数: 631
27
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
channel和gate之间的量子效应可以用high-k,把介电层搞厚,Intel已经这么搞了
t*******y
发帖数: 21396
28
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
用上high K,如果没其他重要突破,可以做到多少纳米?
c*********5
发帖数: 5813
29
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
IBM还用airgap 作low-k 材料
s****c
发帖数: 11300
30
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
这个东西只是fab的一个指标 其他还有很多可以改进的地方 单单是一个漏电就够研究
的了
而且光器件还刚刚进实验室 摩尔定律还能再撑一阵子
t*******y
发帖数: 21396
31
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
光电上硅片主要是做高速总线用的吧?
K*******i
发帖数: 631
32
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
不知道,制约因素太多,high-k只能解决channel和gate之间的问题
G******d
发帖数: 194
33
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
量子效应是没法避免的,基本上5nm左右量子隧穿就非常明显了,跟drift-diffusion一
个量级了
c*********5
发帖数: 5813
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来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
以后的技术就是要利这个量子效应,比如light waveguide, 直接光子传导,根本就不
需要Si
l*****i
发帖数: 20533
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来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
什么光子?
l******i
发帖数: 104
36
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
膜拜 [& # 9832]
l******i
发帖数: 104
37
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
[♨]
t*******y
发帖数: 21396
38
来自主题: Military版 - FAB做到10nm以后怎么办?
传光只要微米级线宽就可以了啊,根本没必要上纳米啊
s**r
发帖数: 6678
39
10nm目前基本是扯淡。
c*****i
发帖数: 11737
40
SNOM现在的发展方向出了Hyperlense外,另一个发展方向是
Apertureless probe SNOM, 分辨率可达10nm, 在材料研究上比较有前途
t******t
发帖数: 15246
41
10nm确实挺牛逼的
x******6
发帖数: 25
42
近期,美国西北大学的研究团队表示,已经找到了突破目前锂离子电池充电量和充
电速度限制的方法。该新方法不仅让充电量增加了十倍,充电时间也只需原来的十分之
一。据悉,该项研究成果对手机、Pad、PC等许多电子产品影响深远,尤其可以解决智
能手机电池续航能力不足的软肋,为最终用户提供更多便捷。相关科学家表示,这项技
术有望在三到五年内在市场量售。
引领电池技术发展方向
美国西北大学教授Harold Kung与他的研究团队指出,在充电效率方面,该技术的
关键在于锂离子在石墨烯层间的流动状态离子在其中的流动速度直接影响到充电速度的
快慢。而为了加速流动速度,该团队研究出改变石墨烯排列,使其成为数百万个只有
10nm~20nm大小的蜂槽型柱状体,制造出更适合锂离子流动的“快速快捷方式”。也因
为如此,该团队实现将原来电池充电时间缩短到1/10的成绩。
在充电容量方面,该团队研究将小群的硅(Silicon)置入石墨烯层之间,达成提升
电池内部锂离子的密度的效果。归功于石墨烯所提供高延展特性,这样的技术突破也使
聚集在电极附近锂离子更多,也因此使因为硅膨胀所造成的老问题获得解决。如此一来
,这颗使用新... 阅读全帖
o******e
发帖数: 1761
43
来自主题: Military版 - 雪龙号这次感觉有点吃瘪啊!
雪龙号是中国的破冰船和科学考察船,由乌克兰赫尔松船厂在1993年3月25日完成建造
的一艘维他斯·白令级破冰船,雪龙号的姐妹舰是俄罗斯Vasiliy Golovnin号。。。
本来就是一艘20年的老船,而且只能以每小时3公里航速冲破1.1米厚的冰层,在破冰船
里不算大型。
这次比较坑爹的是被救援对象。
隶属俄罗斯远东地区水文气象研究院的考察船绍卡利斯基院士号于南极被困,中国派出
雪龙号,与其余两艘破冰船前往营救。截至12月29日,雪龙号已驶至附近,但因冰层太
厚,暂时无法靠近,仍然无法救出被困人员,正等待最后一艘船只南极光号协助救援。
最终营救行动于2014年1月2日展开,雪龙号派出直升机,将船上52名乘客转移至南极光
号。科学家批评绍卡利斯基院士号的这次探险,指出主办这次行程的人将旅游团伪装成
科学探险,而为了拯救这些游客脱险,要几艘破冰船出动,严重阻碍了真正的极地科学
研究,代价巨大...
实际上这次参与救援的3艘船(法国,中国,澳大利亚)法国直接就半途而废了。 中澳
尽力了,不过中国更近点所以救援完毕后被困。 况且中国雪龙实际上是艘有破冰能力
的科考船。。。 21000吨排水的破... 阅读全帖
j****c
发帖数: 19908
c****x
发帖数: 6601
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听弯弯说,台积电的10nm就要2016年就要量产了,全面打败韩国Samsung和美国Intel。
w*********g
发帖数: 30882
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华为海思64位手机晶片Kirin 930开始试产,为世界上首颗16纳米手机芯片,领先高通
三星一代
来源: 水里 于 2014-08-14 07:36:15 [档案] [博客] [旧帖] [给我悄悄话] 本文已被
阅读:653 次 (4253 bytes)
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台积电加速16nm FinFET产量 海思麒麟930首发
中国电子报、电子信息产业网  发布时间:2014-08-14
为拉开与英特尔及三星之间的技术差距,台积电开始加快16nm FinFET制程进入量产速
度,并提前一季度在第3季开始进行试产,而且首颗产品是海思(Hisilicon)的64位元手
机晶片Kirin 930。业界看好台积电在16nm的领先优势,将成功稳固苹果下世代A9处理
器代工订单。
台积电日前召开季度例行性董事会,会中核准资本预算共新台币910.3亿元,主要用途
包括了用来扩充先进制程产能,转置部分逻辑制程产能为多种特殊制程产能,兴建厂房
、安装洁净室、及扩充先进封装产能,以及包括第4季的研发资本预算与经常性资本预
算... 阅读全帖
e**a
发帖数: 2169
47
呵呵,快到10nm这个极限了。
S*********4
发帖数: 5125
48
来自主题: Military版 - 中国科技正在超过日本
中国科技超过日本(2) 核电
(2014-09-28 08:36:30) 下一个
中国核电技术先进
一。第三代AP1000核电站
AP1000是美国西屋公司设计的。日本东芝买下西屋,然后把AP1000设计卖给中国。
2006年11月,中国引进美国西屋公司的第三代核电技术AP1000。在合作备忘录中,
西屋承诺分阶段向中方转让全部技术资料,并同意中方在将单机功率升级至1350兆瓦以
上后拥有全部知识产权,技术出口也不受西屋限制。
中国正在建四台AP1000机组,两台在浙江三门,两台在山东海阳。计划2016年投产
。这四套机组平均国产化水平为55%,尤其是反应堆压力容器、蒸汽发生器、大型锻件
、主泵、阀门采用国产设备。从第五套设备开始可以基本实现国产化。
中国已经完成1400兆瓦功率的CAP1400的设计,拥有全部知识产权,国产化率将达
到80%,非国产化的部分都是没有垄断威胁的部件。中国已经开始在山东威海市荣成石
岛湾开工建设CAP1400的示范工程。
其他国家AP1000情况:
美国4台第三代核电站于2013年3月在乔治州伯克县和南卡州詹金斯威尔开工。
保加利亚和英国正在计划建AP10... 阅读全帖
k******k
发帖数: 888
49
这些工艺快要到极限了,估计低于10nm是很难实现的事情,会有很严重的短通道效应,
大陆和台湾应该放眼新的材料了,据说是锗将取代二氧化硅,以后硅谷要改名叫锗谷。
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