由买买提看人间百态

topics

全部话题 - 话题: 3nm
1 2 3 4 下页 末页 (共4页)
n****l
发帖数: 3375
1
来自主题: Military版 - 3nm以下估计做不了了
3nm以下估计做不了了,最终这个行业白菜花
B*******c
发帖数: 5056
2
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
3nm之后,美国就会停滞不前,眼看着中国慢慢追上来。
趁现在还有代差优势,搞这么一下,也算是对芯片产业的最后一次利用了。
B*******c
发帖数: 5056
3
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
10年之内,美帝就会停滞在3nm,眼看着中国赶上来
B*******c
发帖数: 5056
4
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
3nm停滞,是整体产业的停滞。


: 制造美帝也不领先

: 领先的是呆湾棒子

d**********i
发帖数: 524
5
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
所以3nm的工艺最后也需要10nm的沟道,这样芯片的提升比7nm并不明显咯?

:你Y懂不懂阿,3纳米又不是沟道宽度3纳米。3纳米的时候沟道至少也有个10纳米
t******e
发帖数: 2504
6
GF历来是说大话的大嘴巴, 以前它的14nm也是自己量产做不出了,买了三星的许可才
做出来。
半年前GF,7nm还没有解决,它的CEO就在媒体上夸夸其谈,要搞什么5nm/3nm, NM, 你
也的先把7nm搞出来在吹啊,果然,这SB的7nm量产搞不下去了。
z****r
发帖数: 245
7
看了一下文章,不太清楚是不是FFT,但应该不是ED。整个core-shell结构加起来2-3nm
的话,做ED也不是完全不可以,但可能对仪器要求很高。如果想验证core-shell,尝试
一下EDX或者EELS的线扫描?

The
f***y
发帖数: 4447
8
https://news.mydrivers.com/1/661/661427.htm
目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm,下一步还要进入5nm、3nm节点,制造难度
越来越大,其中晶体管结构的限制至关重要,未来的工艺需要新型晶体管。来自中科院
的消息称,中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管,它被视为2nm及以下工艺
的主要技术候选,意义重大。
从Intel首发22nm FinFET工艺之后,全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用
FinFET鳍式晶体管,一直用到现在的7nm,未来5nm、4nm等节点也会使用FinFET晶体管
,但3nm及之后的节点就要变了,三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。
根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET
(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性
能,主要取代FinFET晶体管技术。
此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及
生产。
前不久三星还公布了3nm工... 阅读全帖
t*******z
发帖数: 58
9
来自主题: Military版 - 美国是原创啊,有先发优势
因为现在技术的发展空间越来越小 比如集成电路 3nm就到头了 现在还没有替代方案呢
更何况3nm只是个理论值还不一定做的出来
t******e
发帖数: 2504
10
是啊, 台积电和三星都在实验室研发3nm, 比如台积电的roadmap:
2018年7nm量产,已经实现了。
2019年EUV7nm量产,今年进入risky production, 目前拿出的产品,据他们自己宣布,
令人鼓舞。
2020年5nm量产,工厂今年年初已经动工。
2022年3nm量产, 目前在实验室阶段。
t******e
发帖数: 2504
11
嗯, 台积电股价突破半年来的盘整之后,直线飞涨中。。。。。。
5nm明年上半年量产,3nm研发进展顺利,3nm厂已经开始建了, 明年固定资本投入150
亿美元,比以前每年投100亿美元多50%。
中国大陆大基金2期刚成立,预计投入2000亿(285亿美元)到半导体,看了看,天女散
花,半导体内各个方向都有,而且是多年的投入,这点钱实在不够!

发帖数: 1
12
那是文科生
3nm以下是量子穿隧效應,隧穿效应发生的厚度约为1-3nm或更小,除了文科生,不是尽
人皆知的
n**n
发帖数: 1489
13
来自主题: Military版 - 还是说说怎么开3次方吧
(n+m/10)^3=n^3+3n^2m/10+3nm^2/100+m^3/1000, 从最高位开始往下算。
d*****l
发帖数: 8441
14

http://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%B8%83%E6%9C%97%E8%BF%90%E5%8A%
对于布朗运动之误解[编辑]
值得注意的是,布朗运动指的是花粉迸出的微粒的随机运动,而不是分子的随机运动。
但是通过布朗运动的现象可以间接证明分子的无规则运动。
一般而言,花粉之直径分布于30~50μm、最小亦有10μm之谱,相较之下,水分子直径
约0.3nm(非球形,故依部位而有些许差异。),略为花粉的十万分之一。因此,花粉
难以产生不规则振动,事实上花粉几乎不受布朗运动之影响。在罗伯特·布朗的手稿中
,“tiny particles from the pollen grains of flowers”意味着“自花粉粒中迸出
之微粒子”,而非指花粉本身。然而在翻译为诸国语言时,时常受到误解,以为是“水
中的花粉受布朗运动而呈现不规则运动”。积非成是之下,在大众一般观念中,此误会
已然根深蒂固。
在日本,以鹤田宪次‘物理学丛话’为滥觞,岩波书店‘岩波理科辞典’[3]、花轮重
雄‘物理学読本’、汤川秀树‘素粒子’、坂田昌二‘物理学原论(上)’、平凡社‘
理科辞典... 阅读全帖
d*****l
发帖数: 8441
15
我哪里说哪种颗粒能产生布朗运动哪种不能了?我说墨水颗粒了吗?你一下子倒这么多
豆子出来,
证明他们大小是你的责任好不好?
我只是让你让人眼看到亲。
断言一般花粉颗粒观察不到布朗运动的不是我,你找维基百科说理去,别纠缠我好吧:
“一般而言,花粉之直径分布于30~50μm、最小亦有10μm之谱,相较之下,水分子直
径约0.3nm(非球形,故依部位而有些许差异。),略为花粉的十万分之一。因此,花
粉难以产生不规则振动,事实上花粉几乎不受布朗运动之影响。在罗伯特·布朗的手稿
中,“tiny particles from the pollen grains of flowers”意味着“自花粉粒中迸
出之微粒子”,而非指花粉本身。然而在翻译为诸国语言时,时常受到误解,以为是“
水中的花粉受布朗运动而呈现不规则运动”。积非成是之下,在大众一般观念中,此误
会已然根深蒂固。”
S*********4
发帖数: 5125
16
来自主题: Military版 - 中国科技正在超过日本
中国科技超过日本(2) 核电
(2014-09-28 08:36:30) 下一个
中国核电技术先进
一。第三代AP1000核电站
AP1000是美国西屋公司设计的。日本东芝买下西屋,然后把AP1000设计卖给中国。
2006年11月,中国引进美国西屋公司的第三代核电技术AP1000。在合作备忘录中,
西屋承诺分阶段向中方转让全部技术资料,并同意中方在将单机功率升级至1350兆瓦以
上后拥有全部知识产权,技术出口也不受西屋限制。
中国正在建四台AP1000机组,两台在浙江三门,两台在山东海阳。计划2016年投产
。这四套机组平均国产化水平为55%,尤其是反应堆压力容器、蒸汽发生器、大型锻件
、主泵、阀门采用国产设备。从第五套设备开始可以基本实现国产化。
中国已经完成1400兆瓦功率的CAP1400的设计,拥有全部知识产权,国产化率将达
到80%,非国产化的部分都是没有垄断威胁的部件。中国已经开始在山东威海市荣成石
岛湾开工建设CAP1400的示范工程。
其他国家AP1000情况:
美国4台第三代核电站于2013年3月在乔治州伯克县和南卡州詹金斯威尔开工。
保加利亚和英国正在计划建AP10... 阅读全帖
d*******3
发帖数: 8598
17
【 以下文字转载自 Physics 讨论区 】
发信人: Jerry0803 (Jerry and Tom), 信区: Physics
标 题: 【转载】漫谈物理学的过去、现在与未来 冯端
发信站: BBS 未名空间站 (Sat May 10 22:33:04 2014, 美东)
漫谈物理学的过去、现在与未来*
冯  端
摘 要  文章试图对物理学的发展历史作一透视,从而理解其现状,并进而窥测其未
来的前景.我们希望这一看法对于当今从事物理学教学与科研的人士有所助益.由于物理
世界的层次化,诸层次之间既可能存在耦合,又可能出现脱耦.因而大量粒子所构成的
复杂体系中所涌现的各种层展性质就不能简单地还原成个别粒子所服从的规律.我们根
据这一观点并结合物理学的未来前景,讨论了当今物理学研究的若干前沿问题.一切迹
象预示着物理学将有光明的前景.
关键词  物理学,历史,现状,前景,前沿,物理世界的层次化,层展性质
RAMBLING ABOUT THE PAST,PRESENT AND FUTURE OF PHYSICS
Feng Duan
(Department of Physics,Naj... 阅读全帖
h******k
发帖数: 15372
18
记我国无机非线性光学晶体的发展历程

材料是人类社会生产力发展程度的重要标志。我们用“旧石器时代”、“新石器时
代”、“铁器时代”等等来划分不同生产力发展阶段的历史时期。人工晶体也能起到划
分时代的作用:水晶及其压电元件的研制成功,将人类带入无线电通讯的新时代;单晶
硅及其集成电路的普及,标志着电子时代的到来;红宝石及其激光器的研制成功,预示
着人类进入光电子时代。
水晶、单晶硅、红宝石都是人工晶体材料,这些人工晶体材料都已经产业化,在全
世界大量生产。当然,这三种材料也只分别是压电材料、半导体材料、激光材料的代表
。随着科技的不断发展,各领域的新材料不断涌现。例如激光材料,继首次实现激光输
出的红宝石之后,又出现了激光性能更好的钇铝石榴石、钆镓石榴石、钒酸钇等激光晶
体。但是,尽管新型激光晶体不断被研制出来,所输出的激光波长并没有覆盖从紫外到
红外的整个光谱范围,而是多半集中在1064nm附近,这就大大制约了激光的应用。于是
人们进一步研究、寻找具有改变激光频率特性的材料——非线性光学晶体,利用这类晶
体进行倍频、和频、参量震荡等光学变换来获得从紫外到红外的激光输出。
上世纪七... 阅读全帖

发帖数: 1
19
来自主题: Military版 - 10纳米的光刻机国产了是假新闻
半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm
工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技
术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺,研发EUV
光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年,部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺
路线图了。
此前的报道中我们也解释了半导体芯片制造过程中,光刻是非常关键的一步,决定了芯
片的技术水平。目前使用的是沉浸式光刻工艺,未来则是EUV(即紫外光刻)工艺。不
过EUV工艺研发实在太难了,早在2006年业界就开始联合研发EUV工艺,直到10年后的今
天,EUV光刻机才开始小批量生产,荷兰ASML公司日前在财报中提到去年底他们售出6台
EUV光刻机,总数达到了18台,总价值超过20亿欧元。
今年半导体公司将升级到10nm节点,不过还是用不上EUV工艺,ASML表示在2018年底到
2019年初的7nm工艺节点上,EUV工艺才会正式启用,那时候传统的沉浸式光刻工艺也会
遭遇极限。
现在半导体公司提到的新一代制程工艺除了7nm之外,还有5... 阅读全帖

发帖数: 1
20
半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm
工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技
术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺,研发EUV
光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年,部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺
路线图了。
此前的报道中我们也解释了半导体芯片制造过程中,光刻是非常关键的一步,决定了芯
片的技术水平。目前使用的是沉浸式光刻工艺,未来则是EUV(即紫外光刻)工艺。不
过EUV工艺研发实在太难了,早在2006年业界就开始联合研发EUV工艺,直到10年后的今
天,EUV光刻机才开始小批量生产,荷兰ASML公司日前在财报中提到去年底他们售出6台
EUV光刻机,总数达到了18台,总价值超过20亿欧元。
今年半导体公司将升级到10nm节点,不过还是用不上EUV工艺,ASML表示在2018年底到
2019年初的7nm工艺节点上,EUV工艺才会正式启用,那时候传统的沉浸式光刻工艺也会
遭遇极限。
现在半导体公司提到的新一代制程工艺除了7nm之外,还有5... 阅读全帖
t******e
发帖数: 2504
21
读了一篇今年4月的文章,Who will be the first manufacturer to 7nm?
http://www.androidauthority.com/who-will-be-the-first-manufacturer-to-7nm-757916/
选了4家作为候选人,目前主流是14/16nm node, 10nm也在用,10nm是目前量产最先进的
,7nm虽然有样品,但还都没有量产。
三星:7nmm目前试产,EUV光刻,似乎工艺有点小问题, 希望2018整年努力能增加产量
,但到2019年才可能见到移动处理器 。
台积电:和ARM合作7nm,没用EUV,还是用immersion, 预计2018年6月 risk production
, 而且已经做出12 CPU核的处理器样品了,目前看,台积电比三星要快。 另外,台积
电将来要用EUV来做5/3nm。
GlobalFoundries:和台积电一样还是用immersion, 该公司是跳过10nm, 直接到7nm,
在2019年前是见不到产品。
Intel:使用EUV,生产线估计要到2019,量产要到2020。
这样... 阅读全帖
t******e
发帖数: 2504
22

这仅仅是可能性之一, 不要忽略其它可能。
另外一个可能,就是拿货的priority.
就拿EUV为例嘛, 人家5年前就出资加入ASML的开发风险共担,当然,台积电后来退出
了,但不妨碍人家早定货吧,EUV的生产周期就有近2年了,人家下订单早,当然排队排
在前面,虽然台积电现在7nm不用EUV,但它需要EUV做以后的5/3nm预备研究, 这说明人
家有前瞻,提前布局。
据ASML中国区经理,中国今年才有厂商下订单, 你订单下的迟,当然拿货拿得迟, 这
与什么迟一代销售没关系, 人家现在给的就是最新的。
可能有人要骂中国厂商, 为什么连定货都定得迟? 失职嘛! 那就不一定了,这就
是第3个可能,即中国厂商现在还不需要EUV, 光刻机是设备之一,除了设备,还要
工艺,这个工艺,是靠经验,钱和人才,才堆起来的。
中国可能不缺钱,但缺人才更缺经验,实际上就是钱,可能也有分配的问题,似乎中国
、各地喜欢一哄而上,也分散了资金。 就拿国内最高水平中芯国际来说吧,他的工艺
经验目前是28nm, 研发14nm, 在几年前,它连28nm工艺还没成熟,那时他要订EUV干
什么?
总结一下,中国半导体生产... 阅读全帖
t******e
发帖数: 2504
23
读了一篇今年4月的文章,Who will be the first manufacturer to 7nm?
http://www.androidauthority.com/who-will-be-the-first-manufacturer-to-7nm-757916/
选了4家作为候选人,目前主流是14/16nm node, 10nm也在用,10nm是目前量产最先进的
,7nm虽然有样品,但还都没有量产。
三星:7nmm目前试产,EUV光刻,似乎工艺有点小问题, 希望2018整年努力能增加产量
,但到2019年才可能见到移动处理器 。
台积电:和ARM合作7nm,没用EUV,还是用immersion, 预计2018年6月 risk production
, 而且已经做出12 CPU核的处理器样品了,目前看,台积电比三星要快。 另外,台积
电将来要用EUV来做5/3nm。
GlobalFoundries:和台积电一样还是用immersion, 该公司是跳过10nm, 直接到7nm,
在2019年前是见不到产品。
Intel:使用EUV,生产线估计要到2019,量产要到2020。
这样... 阅读全帖
t******e
发帖数: 2504
24

这仅仅是可能性之一, 不要忽略其它可能。
另外一个可能,就是拿货的priority.
就拿EUV为例嘛, 人家5年前就出资加入ASML的开发风险共担,当然,台积电后来退出
了,但不妨碍人家早定货吧,EUV的生产周期就有近2年了,人家下订单早,当然排队排
在前面,虽然台积电现在7nm不用EUV,但它需要EUV做以后的5/3nm预备研究, 这说明人
家有前瞻,提前布局。
据ASML中国区经理,中国今年才有厂商下订单, 你订单下的迟,当然拿货拿得迟, 这
与什么迟一代销售没关系, 人家现在给的就是最新的。
可能有人要骂中国厂商, 为什么连定货都定得迟? 失职嘛! 那就不一定了,这就
是第3个可能,即中国厂商现在还不需要EUV, 光刻机是设备之一,除了设备,还要
工艺,这个工艺,是靠经验,钱和人才,才堆起来的。
中国可能不缺钱,但缺人才更缺经验,实际上就是钱,可能也有分配的问题,似乎中国
、各地喜欢一哄而上,也分散了资金。 就拿国内最高水平中芯国际来说吧,他的工艺
经验目前是28nm, 研发14nm, 在几年前,它连28nm工艺还没成熟,那时他要订EUV干
什么?
总结一下,中国半导体生产... 阅读全帖
t*******c
发帖数: 306
25
来自主题: Military版 - ASML为啥决定卖EUV了?
芯片制造业,像TSMC,三星等,从来不是劳动力密集型产业,劳动力成本基本可以忽略
,主要成本来自于材料仪器技术,不讲劳动力成本,换到中国又能有多少减少成本的优
势?
再说了,一看你就是外行,28nm以下因为一些物理上的原因,开始有个定律,制程每缩
小一半,制造的成本增加一倍。例如,14nm的tapeout成本比28nm高一倍,7nm tapout
成本比14nm的高一倍,同理将来3nm的tapeout成本还要比7nm tapeout成本高一倍。
28nm以前的那种经济定律早就不适用了,芯片的价格不会快速下降了,反而可能每代更
新后价格缓慢升高!
s*x
发帖数: 8041
26
来自主题: Military版 - ASML为啥决定卖EUV了?
3nm以后怎么办?快到物理极限了啊

发帖数: 1
27
来自主题: Military版 - ASML为啥决定卖EUV了?
tsmc本身外资持股78%,如果劳动力成本再不值钱的话,那利润就全被外资赚走了。台
湾人变成白人的打工仔,人家吃肉他们连汤都不一定喝的上


: 芯片制造业,像TSMC,三星等,从来不是劳动力密集型产业,劳动力成本
基本可
以忽略

: ,主要成本来自于材料仪器技术,不讲劳动力成本,换到中国又能有多少
减少成
本的优

: 势?

: 再说了,一看你就是外行,28nm以下因为一些物理上的原因,开始有个定
律,制
程每缩

: 小一半,制造的成本增加一倍。例如,14nm的tapeout成本比28nm高一倍
,7nm
tapout

: 成本比14nm的高一倍,同理将来3nm的tapeout成本还要比7nm tapeout成
本高一
倍。

: 28nm以前的那种经济定律早就不适用了,芯片的价格不会快速下降了,反
而可能
每代更

: 新后价格缓慢升高!

T*******i
发帖数: 805
28
除了CPU之类的高端应用,大部分赚钱的中低端应用并不需要10nm,中芯国际的利润主
要来自28nm的成熟应用。
中国为什么能追上西方,就是因为二战以来,科学的基础理论并没有本质突破。半导体
的发展也将遇到同样情况。10nm\5nm\3nm又怎样,再搞下去要么遇到物理极限,要么成
本极高,要么缺乏应用无商业价值。现在已经发现,10nm以下技术的提高不但不会降低
成本,反而会提高成本,摩尔定律这回真的要失效。
这就给了大陆追赶的时间,大陆的巨大市场又提供利润空间。只要保证资金投入,坚持
几年,就耗死老师傅了。
T*******i
发帖数: 805
29
除了CPU之类的高端应用,大部分赚钱的中低端应用并不需要10nm,中芯国际的利润主
要来自28nm的成熟应用。
中国为什么能追上西方,就是因为二战以来,科学的基础理论并没有本质突破。半导体
的发展也将遇到同样情况。10nm\5nm\3nm又怎样,再搞下去要么遇到物理极限,要么成
本极高,要么缺乏应用无商业价值。现在已经发现,10nm以下技术的提高不但不会降低
成本,反而会提高成本,摩尔定律这回真的要失效。
这就给了大陆追赶的时间,大陆的巨大市场又提供利润空间。只要保证资金投入,坚持
几年,就耗死老师傅了。
m********5
发帖数: 17667
30
来自主题: Military版 - 去年4月试产,今年6月量产
谈不上风险和超前,作为房锥肯定要探究工艺极限,不然怎么知道成本曲线,怎么做质
控标准,怎么叫价?这个不论是不是要走光刻路线到3nm都有探究的必要。相反,如果
更换片基,那么一切都要变,他们历来积累的器件模型都没用了,那个才是真的冒险。
x****u
发帖数: 44466
31
来自主题: Military版 - 3nm以下估计做不了了
只要对华禁运,没几天这些企业就搬到不禁运的地方去了
g*q
发帖数: 26623
32
来自主题: Military版 - 3nm以下估计做不了了
往下做性价比越来越低,而且老技术帮不了太多忙。不管能不能做下去,后7nm时代天
朝赶超的机会都大很多。
b****n
发帖数: 6896
33
来自主题: Military版 - 3nm以下估计做不了了
快歇菜了。这也是美帝着急的地方。
基本也到瓶颈了。
现在怎么博弈,还有结果大家搬个板凳看戏

发帖数: 1
34
来自主题: Military版 - 习主席正在磨刀擦剑
其实我觉得现在绝对是一个迎头赶上的好机会。
3nm 5nm之后摩尔定律就完全无效了。西方至少10年之内不会产生新的技术飞跃。
抓住这十年的机会,中国的自主芯片至少是分庭抗礼。
K******r
发帖数: 4052
35
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
制造美帝也不领先
领先的是呆湾棒子
b****s
发帖数: 872
36
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
量子效应来了,摩尔定律失效,傻子都知道这个
T*********s
发帖数: 20444
37
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
这个极限每年都要哭一回
每年都能超越
之前三十几纳米就说极限了
b****s
发帖数: 872
38
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
你这是道听途说
量子效应,电子运动操控不了了,才是瓶颈。10nm一下,越小量子效应越明显,电子可
以通过量子效应,随时跑到其他电路里去
b****s
发帖数: 872
39
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
摩尔定律5年内失效,量子计算机是个joke,菌斑批判很多次了
c****3
发帖数: 10787
40
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
摩尔定律失效早就知道了,过几年中国工艺就应该能追平了,因为现在的没有空间升上
去了
B*******c
发帖数: 5056
41
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
中国芯片的设计制造都只是时间问题。
关键短板是市场和用户的使用习惯。美帝这么搞,是拱手把用户推给tg。


: 摩尔定律失效早就知道了,过几年中国工艺就应该能追平了,因为现在的没有空
间升上

: 去了

B*******c
发帖数: 5056
42
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
美国这么搞,类似于做摆渡生意的船家闹情绪,不给河边某个城市的市民坐船了。逼着
这个城市发展出自己的航运公司,然后跟他抢生意。


: 中国芯片的设计制造都只是时间问题。

: 关键短板是市场和用户的使用习惯。美帝这么搞,是拱手把用户推给tg。

: 间升上

m********5
发帖数: 17667
43
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
不见得就是极限,以前说65nm是极限,结果屁,工程方法解决了,后来说22nm,也是工
程方法解决, 再后来10nm都突破了。
再说还有二代和三代半导体,只是目前大厂没动力换材料,因为矽上面积累的优势太大
了,没到新公司出来吃螃蟹,别人不会动。
大陆感觉丧失先机了,半导体投入太少,我看大陆还是弯道超车直接人海战术上四代半
导体或者分子电路,千老那么多,搞分子电路优势很大。

发帖数: 1
44
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
到那时,新的黑科技就要出来了,人类灭亡也不远了
d********8
发帖数: 691
45
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
silicon过于牛逼,什么二三代都是扯淡
h******k
发帖数: 15372
46
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
不是silicon牛逼,而是silicon过于便宜,所以无数人投精力挖尽它的每一滴潜能。
t*******y
发帖数: 21396
47
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
你Y懂不懂阿,3纳米又不是沟道宽度3纳米。3纳米的时候沟道至少也有个10纳米
t*******y
发帖数: 21396
48
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
7纳米的沟道有至少15 纳米。
再说了,TSMC定义的7纳米和Intel定义的7纳米也不一样。Intel的14纳米相当于TSMC的
10纳米。10纳米一下这个数字基本就是个Marketing Term了,代工厂就想说小点,好收
个好的代工价钱。
h******k
发帖数: 15372
49
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
跟4G一样,速度差10倍以上的技术都统统叫4G。。。。
s*****V
发帖数: 21731
50
来自主题: Military版 - 3nm之后,美国就会停滞不前
不用管这些名词,看看intel CPU 表现就知道了,单核性能基本已经到顶。
8年就提高了30%
1 2 3 4 下页 末页 (共4页)