r*********e
发帖数: 281 | 1 假设(仅仅是假设,呵呵)off-state leakage和breakdown一样
是不是3V的threshold并不比0.5V的threshold好 |
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f*****0
发帖数: 489 | 2 mosfet switchers are typically driven to 7v or 10v Vgs. That's how most of
the drivers are design for.
in linear applications, most of them (vertical mosfets) start to conduct at
3.5v Vgs. Lateral mosfets tend to conduct at much lower Vgs, as does logic-
level vertical mosfets. |
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g******u
发帖数: 3060 | 3 一般在稍高压的电路我都不推荐可以接受很低gate voltage的FET.
你的频率是多少？这是关键。
高压高频率（例如100k Hz, 3A)的驱动，除了电压以外，gate current是关键，这就是
为什么有很多gate drive chip的原因（相当于一个放大电路）。如果电流太低（例如
你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地步，mosfet也很可能
烧坏。建议去IR看看他们的技术资料，很详细。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 4 threshold其实没什么关系，power mosfet应该都不低？ |
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f*****0
发帖数: 489 | 5 "如果电流太低（例如你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地
步，mosfet也很可能烧坏。"
most power mosfet switchers have high gate area, thus high gate charge.
if driven with a high output impedance device, it will take a long time to
remove all the gate charges. As a result, the device will stay in linear
region longer, this will significantly increase its power dissipation.
thus, you will need a driver chip capable of high (peak) current output to
quickly remove and charge up the gate "capacitor". |
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r*********e
发帖数: 281 | 6 如果我有个KV power MOSFET Design
相同的breakdown, 比如1.2kV
相同的on-resistance
相同的current density
但是threshold是0.8V, 而不是传统的3V以上
好处是switching loss小,工作频率也可以高一点
会不会因为threshold不够高,有什么坏处?
多谢各位高手解惑 |
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f*****0
发帖数: 489 | 7 if you are working at high frequency and with high power mosfets, you must
be using a driver with very low output impedance.
in that case, you will be unlikely to be impacted by interference. |
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g******u
发帖数: 3060 | 8 最好的办法是买不同的几个chip,然后做实验比较一下。
如果某种high power mosfet真有很低thresold的话，我觉得gate capacitance
discharge的时候会继续turn on mosfet, 所以你的gate drive signal 最好不是50%
each, 而是有点delay.
有点要注意的是high side, low side要接两个schottky到Vd. 如果你驱动的是电感性
的东西。 |
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p*******e
发帖数: 45 | 9 你可以参考一下Baliga的“power semiconductor device”里面的power MOSFET, dV/
dt capability。如果Vt太小，而且Gate driver的output resistance偏大的话，并且
你的Cgd比较大，那么high speed switching的时候，对Cgd的charging and
discharing current会导致你的power switch关不断（ic*Rg > Vt)。
所以，Vt应该大些，但是对于某些器件，Vt太大，可能Ron会受影响。对于你的0.8V Vt
，也许可以通过改进gate drive，提供一些negative gate voltage，这样的drive应该
可以解决你的问题。
如果是GaN的heterojunction power device，switching speed能有多快？current collapse的问题搞定了吗？ |
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g******u
发帖数: 3060 | 10 不知有高手能否教我为什么要有很多low thresold FET的存在？ |
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r*********e
发帖数: 281 | 11 多谢指教
至于GaN, 应该可以很快啦.KV的device上MHz肯定没问题.
关于collapse, toshiba和CREE做到大概300V可以collapse free.在往高压走就不容易了
Vt
collapse的问题搞定了吗？ |
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r*********e
发帖数: 281 | 12 我是新手入门
low threshold的FET不是一般会快一点么? |
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g****t
发帖数: 31659 | 14 我念本科那时候国内好像还没有IGBT。
我记得当年最流行的就是脉宽调制为基础的控制电路。
国外PFW控制大电流电路也出现的比较晚。
频率调制在电机托动里应当会讲到 |
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g******u
发帖数: 3060 | 15 同意。
我自己没做过多少千瓦级别的电路。但是很明显其中还有变压器存在。在千瓦级电路里
，即使开关频率再高，IGBT或者MOSFET损耗对总体效率的影响还是有限的，但是用PWM
的话很明显变压器尺寸会变小，铜损会显著降低。脉宽调制的话很多器件必须要换成高
电流的，以此带来的成本和parasitic损耗都要加大。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 16 从电机控制原理上来说应该确实差不多.除了用IGBT取代MOSFET,搞个大电流门驱动,感
觉也差不多.当然没搞过几百几千千瓦的电机传动,用怎样的sensor,lock rotor到底多
大...等等细节都是未知,不引起点事故还真难研究. |
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j***j
发帖数: 324 | 17 主要是保护，驱动，EMI，散热。 加上噪音控制，质量管理等等。一般大功率的应用都
在比较重要的场合，比如电厂，矿山等等。安全性，可靠性要求相当高。不会有领导或
者采购敢因为价格便宜就买你的产品，万一出了问题，责任他根本担当不起。所以很多
start－up的公司都是让人免费试用，一年以后没问题在慢慢付款。。。就这样还要求
爷爷告奶奶的拉关系才能有人愿意免费试用你的产品，谁让你开始没名气呢。这是门槛
高的一个方面。
做器件＆device的公司好一些，因为不是最终产品，不面对最后客户。只要你的器件质
量不错价格不贵，就有人愿意选用。而且可以直接推销到有一定市场＆名气的中型公司
。这方面就扯远了，不再多说。
第二个门槛高的原因是，emi，散热，保护，噪音控制甚至产品的质量控制等等不是学
校里能学到的，1，靠经验，要知道留多大的margin＆设计余量，考虑实际情况要留多
大的安规等等。 2靠实验。我有一个同学在一个startup里面干过，几十千瓦的样机一
点问题没有。上到实际系统就有时烧，那时候上万一个igbt，一烧一组就18个，烧两次
整个研发小组自己心里都发毛了，财力不是很雄厚的投资方这时候 |
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b*******h
发帖数: 2585 | 18 中国的大功率功放好像也不坏，就是那种伪数字开关式的，但是用的IGBT还是进口的。 |
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a*****s
发帖数: 6260 | 20 什么时候大批用到汽车上了再说吧，感觉他这还没稳定工艺呢 |
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g****t
发帖数: 31659 | 21 BYD有些方向走的是类似telsa之类公司的路.
hybrid车一年出个几十辆.造造新闻.
股市上boost出来的钱,就够赚了. |
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v********m
发帖数: 2147 | 26 一个私营公司，花了钱不就为了挣钱么，骗人能干啥，还能卖假货？ |
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g****t
发帖数: 31659 | 27 一年也就50辆车左右，能有多牛？
我想hybrid还是Toyota最牛。
特斯拉应该要牛很多罢。 |
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b***y
发帖数: 4592 | 28 en,toyota强很多,honda其次,ford买的toyota的技术估计也还凑合,GM的不乐观,
daimler也在做,不过似乎是豪华车上,比牙迪的强项在于电池,GM的hybid预计一个电池
花1w刀,可想而知了 |
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g****t
发帖数: 31659 | 29 前十年的旧一代hybrid,日本人是霸主。
ford,GM现在也是买日本松下的电池，日本人给他们限量供应。
现在大家都在看谁是锂电池时代的霸主。
BYD的锂电池没有量产，不知道质量怎么样。
不过无论如何，这个方向跟一跟是绝对正确的政策。
这比nano啥的靠谱多了。毕竟锂电池已经在电脑手机什么上面应用
很多年了。
比亚迪是从富士康出来的一群人办的。
他们做了手机全球电池的1/2。不过手机用的电池和
汽车用的差别很大。每年很多手机，电脑的电池起火爆炸。
一辆车的电池相当于有一百个手机电池左右。这是绝对不允许
的。另外手机电池老化太快。 |
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b***y
发帖数: 4592 | 30 还没那,GM的hybrid明年底预计出来,预计用LG的电池 |
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g****t
发帖数: 31659 | 31 GM早就有hybrid车了。不过不是锂电池。
还没那,GM的hybrid明年底预计出来,预计用LG的电池 |
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b***y
发帖数: 4592 | 32 GM一直在做fuel cell，只不过没人当回事 |
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g****t
发帖数: 31659 | 33 GM的hybrid车已经卖了很久了。Detroit街上有很多。
不过都属于上一代电池。fuel cell车从来没人商业化量产过。 |
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l***g
发帖数: 1035 | 38 I have nothing to do with Tesla, please directly contact the HR if you are a
fit...
Description:
Primary Job Responsibilities
Lead responsibility for design and development of next generation high power
(~200kW) inverter technology for 3 phase AC induction motors and battery
charging systems.
Specifically focused on IGBT power array design, characterization, and
validation.
Collaborative work with mechanical, digital control, battery, and thermal
design engineers.
Job Requirements
Essential skil |
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h*******a
发帖数: 184 | 39 i think it is inverter （直流到交流装换器）。 IGBT 是insulated gate
bipolar transistor。前景应该很不错（说明泡沫也【会】很多）。 |
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d****i
发帖数: 4809 | 40 直流变交流叫做逆变，反之叫做整流。IGBT全称叫做绝缘栅双极晶体管，是属于电力电
子半导体器件的一种。 |
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gr
发帖数: 2958 | 41 你哪里看来的？
我在想是不是英飞凌也把我们老板的想法用上了，
还是做出RB-IGBT了，还是咋的。
5us也太短了吧。常识都是10us。。。 |
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gr
发帖数: 2958 | 42 呵呵，最大功率到60 kW
刹车造成充电的最大功率达到20 kW
那你说，知道了这些之后，你chevy里面的dc/dc 应该设计多大功率呢？
知道了电池信息，你觉得逆变器的母线电压应该设计多高？应该选多高电压的IGBT呢？
知道了一点information就以为自己知道技术细节了。
唉，你真是外行啊。
我上周调的一个逆变器 随随便便出了100多kW，这还是10%左右的负载。
我了解的prius的信息当然不能随便告诉你，存在的问题，需要往哪个方向改进更不能
告诉你了。
如果你需要的仅仅是里面多少个电池，电池哪个公司的，里面多少个cell，最大功率多
大这种信息，我觉得你上网搜搜可能就找到了吧。或者你打开电池盒看看，测测不就得
了么？
里面几个cell数数就知道了啊。呵呵
不管辅助电池什么的.只管电机驱动车这块,
chevy volt最大功率会高到60kW.
刹车造成充电的最大功率会达到20kW或者更高.
1分钟充放电最高会切换几十次.
全电驾驶时，平均功率如果按交通部的几个driving profile来算,
大概每小时平均会有40kw左右,不然做不到它标称的里程数.
这么高的功率，这 |
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g****t
发帖数: 31659 | 43 我说的东西是information,不是技术细节?上网搜搜就能知道.
我把话放这儿，我说的东西你随便去网上查，我告诉你，
网上是没有的。其他的数据我也有的是。
但我没必要告诉你这种没credit的人.前头是你说自己知道prius数据,
然后问我问题的.我现在说了数据了,你呢?
"打开电池盒看看就知道"。
请问，我给你一套电池，你打开看看，就能知道开车时候电机的最大功率?
就能知道电机的平均功率? 你真是一天一个笑话---不重样的.
就你这点水平，还好意思攻击我“外行装内行”。
本来前头人家ET都说了，be professional。我不想搭理你，
你还非要较真。说我外行冒充内行.
好,我们就较个真,看看你知道多少东西.
结果我说了些数据,
您老来个"不能随便告诉你". LoL
呵呵，最大功率到60 kW
刹车造成充电的最大功率达到20 kW
那你说，知道了这些之后，你chevy里面的dc/dc 应该设计多大功率呢？
知道了电池信息，你觉得逆变器的母线电压应该设计多高？应该选多高电压的IGBT呢？
知道了一点information就以为自己知道技术细节了。
唉，你真是外行啊。
我上周 |
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q******3
发帖数: 275 | 44 半导体内部结构尺寸小
mosfet和IGBT内部是由很多channel构成的
而且高压大功耗 要做高性能 低故障率很难的
电子电力的器件都是大尺寸的，应该比90nm, 65nm,什么的好做吧?为什么国内也不行? |
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gr
发帖数: 2958 | 45 器件老化不大好做实验吧。
有时候审到文章讲预测寿命啥的，觉得真挺玄乎的。
想去搞个老化的IGBT来测测我的gate drive啥的也不容易啊。 |
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R****s
发帖数: 635 | 46 主要是关于DC-DC和AC-DC converter设计的。
希望比较实用。
最好能有以下的topic：
- 1kW左右的大功率开关电源设计
- IGBT或者大功率MOSFET
- 变压器设计
- 反馈环路设计
兄弟在此感激不尽，包子奉送。 |
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x*****i
发帖数: 97 | 47 是不是只有MOSFET才可以？因为其电流可以双向导通？ |
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gr
发帖数: 2958 | 50 小功率做东西还有个问题就是太容易一窝蜂了，
毕竟东西小，做的快。
大功率你买个IGBT就顶人家多少版的样机了。 |
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