c******n
发帖数: 49 | 1 If you refer to flat band voltage in MOS/MOSFET, it is a negative voltage
applied between the metal and semiconductor to achieve flattening of the
bands.
It is determined by two factors: the work function difference between metal
and s/c and charges in the oxide. You may find the formula for calculation
in any fundamental mosfet books.
If you're targeting for a normally-off MOSFET(Vth>0), it's better to have a
flat band voltage of smaller absolute value. For example, you may choose a
gate contac |
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h********t
发帖数: 555 | 2 你做的这个还是不错的，有些人，包括我喜欢写一些小程序，作为辅助设计，比如象你
上面做的，在每个corner 和温度下，运行完了一个仿真，自动检查每个MOSFET的 VGS,
VDS, VDSAT, 确保是你想要的。 通常一个放大器也就不到一千个MOSFET， 但是你调
整了一个MOSFET,可能会影响到其他得器件，靠人工一个一个的去检查，基本不可能。
我建议的就是，你找工作的时候要强调这个是一个verification的工具，展示一下这些
功能，做为学生，能做出这个，别人应该对你还是印象很深刻的，而且作为一个
verification的工具，这个确实还是有用的。但是如果你强调这个可以优化设计，这个
就得看你怎么定义 优化设计 这个词了。软件只能提供你数据，但是不能自动做决策，
我不认为这个可以称为 优化设计。 至于说象那个paper声称的能够实现设计自动化，
听到这种说法，工业界做模拟电路的人都笑了。
这个行业找工作其实一直就这样，都不好找，机会是有的，但是不多。 你就得耐心点
，每天都坚持上各个公司的网站去找找，去各个jobhunting的网站去投简历。 前面有
个同学写的找工作的 |
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a******a
发帖数: 231 | 3
It is the common mode noise from dc/dc. Put your probe on ground,you will
see this ripple also. The ripple ussually is at a 100mhz frequency range if
you zoom in.It is generated by falling edge and rising edge of dcdc MOSFET
and the parasitic LC near LC. If you va access dcdc mosfet,you can see This
ripple is synced with gate signal of the mosfet. This is a good method to
confirm the noise is from dcdc
Usually the noise does not cause any trouble since it is common mode to your
signal and groun... 阅读全帖 |
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g****t
发帖数: 31659 | 4 换个其它的MOSFET试试.
另外可能你的反馈增益过大或者过小了,这取决于负载的具体性质.
用NCL30000做了个110VAC输入，3-12V,700mA恒流输出的电源。在负载为3-12V时输出电
流都只有120mA左右。
MOSFET驱动波形如图，正常工作一段时间后消失200us又启动。Vcc电压稳定。
此电路工作方式为对电容充电实现恒定开通时间，关断时间随交流输入的波形变化而实
现PFC. MOSFET source端检测原边电流只为保护。
请教一下可能是哪些原因？ |
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g****t
发帖数: 31659 | 5 换个其它的MOSFET试试.
另外可能你的反馈增益过大或者过小了,这取决于负载的具体性质.
用NCL30000做了个110VAC输入，3-12V,700mA恒流输出的电源。在负载为3-12V时输出电
流都只有120mA左右。
MOSFET驱动波形如图，正常工作一段时间后消失200us又启动。Vcc电压稳定。
此电路工作方式为对电容充电实现恒定开通时间，关断时间随交流输入的波形变化而实
现PFC. MOSFET source端检测原边电流只为保护。
请教一下可能是哪些原因？ |
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t******t
发帖数: 15246 | 6 12月14日，具有世界最先进水平的首批最大功率IGBT产品在中国北车永济电机公司
成功下线。此举标志着，永济电机公司已成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V
以上电压等级IGBT的厂家。这意味着我国在该产业上已与世界发达国家站在同一技术平
台上，自主研发IGBT芯片产业化的步伐进一步加快。
IGBT是指绝缘栅双极型晶体管，是继双极晶体管（GTR）和金属氧化物场效应晶体
管（MOSFET）后的新一代功率半导体分立器件，具有 MOSFET易于驱动、控制简单、开
关频率高等优点，是自动控制和功率变换的关键核心器件，被广泛应用在以高铁为代表
的轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车、家电等产业中。
目前，我国已成为全球最大的功率半导体器件消费市场，其中IGBT芯片完全依赖进
口，关键技术被国外垄断。据了解，首批投入封装生产线并成功封装，顺利通过动静态
试验的6500V/600AIGBT产品，是目前世界上电压等级最高的产品，各项技术参数与国际
标准相同。
这批具有自主知识产权的大功率IGBT产品的问世，为我国以机车、动车组为代表的
轨道... 阅读全帖 |
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y*h
发帖数: 25423 | 7 你用你的纳米喷头给我打印个MOSFET管出来就行，Intel的MOSFET管大小已经接近纳米
量级了。
半导体效应是原子级的，比纳米小N个数量级呢。你打印i7的时候得用原子级的喷头，
纳米级的根本不够。跟文科同学讨论问题真费劲。 |
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c****g
发帖数: 37081 | 8 本报株洲6月21日电（记者侯琳良）6月20日，国内首个自主研发生产的“001号”8英寸
IGBT专业芯片，在中国南车株洲所下线，并移交中国科技馆收藏。据透露，这条国内首
条、世界上第二条8英寸IGBT专业芯片线将于今年下半年投产。它的投产，标志着我国
开始打破英飞凌、ABB、三菱等国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断。
IGBT是一种新型功率半导体器件，中文全名“绝缘栅双极型晶体管”。它是电力电子器
件中技术最为先进、应用最为广泛的第三代器件。与微电子技术中芯片技术（CPU）一
样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，能控制并提供大功率的电
力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。
据介绍，由IGBT芯片组成的IGBT器件、模块、组件以及系统装置广泛应用于空调、洗衣
机等家用电器，以及轨道交通、智能电网、航空航天、船舶驱动、新能源、电动汽车等
高端产业，特别是在涉及国家经济安全、国防安全等战略性产业领域，高功率等级的
IGBT尤为关键。
据悉，这条8英寸IGBT专业芯片线首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100
万只IGBT模... 阅读全帖 |
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l*******1
发帖数: 16217 | 9 狗屁，就是这个叫Jayant Baliga只是其中一个参与者，
原始IDEA是Japan小黄人 Yamagami ，
这个东西也不是一蹴而就，而是经过很多年和很多人的改进
This mode of operation was first proposed by Yamagami in his Japanese patent
S47-21739, which was filed in 1968. This mode of operation was first
experimentally reported in the lateral four-layer device (SCR) by B. W.
Scharf and J. D. Plummer in 1978.[3] This mode of operation was also
experimentally discovered in vertical device in 1979 by B. Jayant Baliga.[4]
The device structure was referred to as a "V-groov... 阅读全帖 |
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w*********g
发帖数: 30882 | 10 IGBT中国技术不差，差距在于产业化
科工力量
欢迎关注“科工力量”微博、微信公众号昨天 08:26
（文/ 铁流）
由于中国IGBT需要大量进口，而这个产业又被西方国家把持，对于中国正在大力发展的
高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过，在IGBT技术上，中国其实并不差，大
量依赖进口，并非技术水平不行。
造成大量进口国外产品的局面，只是因为商业上和其他一些原因。
IGBT市场基本被外商垄断
IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就是绝缘栅双极型晶体管。
最初是为了解决MOSFET的高导通压降而难于制成兼有高压和大电流特性的功率器件，以
及GTR的工作频率低、驱动电路功率大等不足而研制的双机理复合器件。
由于IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体，具有开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单
、驱动电流小、通态压降小、耐压高及承受电流大等优点，因此在电机控制和开关电源
，以及要求快速、低损耗的应用领域广泛使用。无论是民用领域的轨道交通、新能源汽
车、白色家电，还是工业控制、智能电网、国防军工，都离不开IGBT。
然而，就是这样一种... 阅读全帖 |
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z*******h
发帖数: 346 | 11 没错，德国就是不会做大功率三极管。奔驰E-class的柴油机上就用Infineon的MOSFET
控制glow plugs, 结果不到70K就烧掉，指甲大的表面封装开关管，heat sink小的都看
不清楚，控制15A, 能靠谱嘛？
你说奔驰要么用质量可靠的电子元件，要么老老实实用继电器，非要用德国牌子的破
MOSFET，完全是设计问题。美国车上的glow plug controller也是solid state的，但
是整个就是一大坨铝散热片，用料给力。 |
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a*******d
发帖数: 128 | 12 Bad luck but things happen. 在Xmas的长假期的前一天被扫地出门。
因为过往的经历，今年自上班起就兢兢业业，一边努力完成安排的本职工作，一边时刻
关注业内动态，基本上每两周都会分析市场情况，着重剖析某家竞争对手的产品路线图
，总结本公司的竞争优势；季度末每家的财报情况和investor day的电话会议也是必听
的。所有的信息都会按照Working版上大牛的经验写成Recap来增加visibility。
时来天地皆同力，运去英雄不自由。今年的年终review，7.5分为满分的目标，完成了6
.5分（少掉的1分是公司整体的Variable Margin，自己控制不了）。即便如此，还是被
layoff（虽然manager和再上一级的老板都对我的工作表示满意）。
Anyway，为了自己和家人的生活，在版上自荐，希望能找到汽车和工业方面的高压功率
电子（MOSFET, IGBT, IGBT/MOSFET driver）方面的AE、FAE、Marketing/regional
Marketing的工作。肯请版上能内推或者有信息的业界同仁提供机会，站内联系。
非常感谢！... 阅读全帖 |
|
e*********t
发帖数: 16 | 13 Location: Phoenix, AZ
Skills: Design Engineer, Mosfet, Powered, Power Supplies
The role of a Staff Engineer is that of a highly competent and experienced
product design engineer. As such, the right candidate will be a key member
in the new Engineering organization in North America for Renewable Energy.
• Direct responsibility for the development of new state of the art
products in areas related to power electronics in the field of renewable
energy as a team member in one of the Desig... 阅读全帖 |
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b********d
发帖数: 720 | 14 夏天毕业的phd，女（参见头像）
skills:photolithography, dry/wet etch, sputter/e-beam evaporator deposition,
FET
conductivity measurement, AFM, electrochemistry, ellipsometry,UV-VIS,
surface profiler，thin film coating, Gaussian Computation,CAD,Python,MOSFET
做过的project主要涉及三方面：
1.photolithography,ebeam evaporator,dry/wet etch in cleanroom to fabricate
microelectrodes(channel of 3um). Also, I designed my mask with CAD.I did
everthing from designing mask, fabrication in cleanroom to dicing in the end.
2.grow thin ... 阅读全帖 |
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y*h
发帖数: 25423 | 15 光并个电容是不行的，正是因为MOSFET是电压触发的，所以电容里的
电荷不会被MOSFET放掉，会导致thermostat发出停机信号以后空调
继续工作。因此并了电容以后还得再并个电荷泄放电阻，使这个RC
回路的时间常数不大于一两秒钟。并接电容还需要考虑thermostat
里面那个微功耗处理器IO口的驱动能力，否则可能thermostat发出
开机信号半天空调还不动作，电容在那儿充电呢……
Thermostat里的处理器确实是微功耗的，电路板上有个1法拉的电容
用来在停电时保持处理器继续工作以免立即突然来电时失去延时记忆
烧坏压缩机。我试了试，那个3.5V1F的电容里的电能让那个处理器
工作20分钟左右，LCD显示都还一直有。 |
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h********n
发帖数: 43 | 16 作为FAE我当然要帮助客户调试，你以为就凭短短一两小时的会议就能拿到订单吗？相
反，和大多数FAE不同，由于我的application背景，我的bench能力足以胜任大部分的
调试。我前面的帖子可能只强调了售前的服务，所以让你误解我仅仅做销售工作了。
作为FAE，我们就是first line of defense.客户如果采用了我们的产品，如果有了问
题，第一个收到的就是我们sales department。这时候我就会帮助客户寻找解决的办法
。只有这样，才能赢得客户的信任，才能确保你还会有新的机会。如果我只是夸夸奇谈
，那我的确就只是sales了。不同的FAE技术水平不同。你对他们印象不好肯能你身边的
FAE更类似sales而不是engineer. 这些在我接触的FAE中的确存在，而且占大多数。所
以很多application谈起FAE都会冠以"stupid FAE".实话说我以前在R&D的时候也惊诧于
某些FAE的弱智表现。他们往往遇到客户的问题直接pass给application engineer而不
加分析。也就是个传声筒而已。这样的FAE得不到BU的尊重。所以在我成为FAE以... 阅读全帖 |
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a*******d
发帖数: 128 | 17 Bad luck but things happen. 在Xmas的长假期的前一天被扫地出门。
因为过往的经历，今年自上班起就兢兢业业，一边努力完成安排的本职工作，一边时刻
关注业内动态，基本上每两周都会分析市场情况，着重剖析某家竞争对手的产品路线图
，总结本公司的竞争优势；季度末每家的财报情况和investor day的电话会议也是必听
的。所有的信息都会按照Working版上大牛的经验写成Recap来增加visibility。
时来天地皆同力，运去英雄不自由。今年的年终review，7.5分为满分的目标，完成了6
.5分（少掉的1分是公司整体的Variable Margin，自己控制不了）。即便如此，还是被
layoff（虽然manager和再上一级的老板都对我的工作表示满意）。
Anyway，为了自己和家人的生活，在版上自荐，希望能找到汽车和工业方面的高压功率
电子（MOSFET, IGBT, IGBT/MOSFET driver）方面的AE、FAE、Marketing/regional
Marketing的工作。肯请版上能内推或者有信息的业界同仁提供机会，站内联系。
非常感谢！... 阅读全帖 |
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e*********t
发帖数: 16 | 18 Location: Phoenix, AZ
Skills: Design Engineer, Mosfet, Powered, Power Supplies
The role of a Staff Engineer is that of a highly competent and experienced
product design engineer. As such, the right candidate will be a key member
in the new Engineering organization in North America for Renewable Energy.
• Direct responsibility for the development of new state of the art
products in areas related to power electronics in the field of renewable
energy as a team member in one of the Desig... 阅读全帖 |
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p**********u
发帖数: 15479 | 19 没错，德国就是不会做大功率三极管。奔驰E-class的柴油机上就用Infineon的MOSFET
控制glow plugs, 结果不到70K就烧掉，指甲大的表面封装开关管，heat sink小的都看
不清楚，控制15A, 能靠谱嘛？
你说奔驰要么用质量可靠的电子元件，要么老老实实用继电器，非要用德国牌子的破
MOSFET，完全是设计问题。美国车上的glow plug controller也是solid state的，但
是整个就是一大坨铝散热片，用料给力。
: 这已经算客气的了
: 新的高档德车，他妈的连电池都植入芯片，你自己换个电池都不让，只有
: dealer能换，你自己换了车都不让发动了
: 怪有买
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p**********u
发帖数: 15479 | 20 这个让我想起了以前的捷达MKIV
老婆路上开着开着说是冒烟了，我叫她停下来叫车拖回家。
败家娘们说不要了，换车吧。
叔一边几天内给她买了辆新车，一边研究旧车，原因是风扇控制模块中的一个电阻烧断
了，风扇不转了，不散热，就开锅了。
从医院里买了个超大的电阻焊上，又加了了超大的散热片，固定在车底盘下。
又开了六七年，直到接近二十五万里程车里开始有味，家里也有四辆车实在是放不下，
才送走了。
: 没错，德国就是不会做大功率三极管。奔驰E-class的柴油机上就用Infineon的
MOSFET
: 控制glow plugs, 结果不到70K就烧掉，指甲大的表面封装开关管，heat sink小
的都看
: 不清楚，控制15A, 能靠谱嘛？
: 你说奔驰要么用质量可靠的电子元件，要么老老实实用继电器，非要用德国牌子
的破
: MOSFET，完全是设计问题。美国车上的glow plug controller也是solid state
的，但
: 是整个就是一大坨铝散热片，用料给力。
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c*****t
发帖数: 232 | 21 答案来了：
"I have 2 touch lamps in the bed room and they are both plugged in to the
same receptacle. Every once in a while the lamps come on by themselves
for no apparent reason. Even more strange is that every so often just
one lamp turns on by itself."
(From: Tim Moore (t****[email protected])).
These use a MOSFET type circuit to switch the lamps on and off. The circuit
is attached to the metal in the lamp base. When you touch it the impedance
changes ever so minutely but enough to change the MOSF... 阅读全帖 |
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b********E
发帖数: 121 | 22 MCU的 IO的驱动电流，typical value less than 50mA.所以不能直接驱动电机， 你如
果只需要让电机单向旋转，你需要用一个能通过大电流的Mosfet或者三极管扩流，如果
需要正反转操作，需要用Mosfet搭H bridge 或者使用现成儿的H bridge芯片， 例如
L298 |
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c******h
发帖数: 454 | 23 learn IC need know device ba
so device physics (MOSFET + bipolar)
undertanding MOSFET or bilopar device need know semiconductor physics.
semiconductor physics need know solid state physics I and II.
solid state physics need quantum mechanisum.
plus
need know IC fabrication ba.
so solid stae processing
of course normal design class (digital/ analog/ mixed signal/ VLSI)
this will give u a strong background.
just do not know how long |
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c*u
发帖数: 916 | 24 需要我这个TA出马了 :-)
Vcc: Most time means voltage to the "C"ircuit, sometimes to collector in BJT
Vee: .. to emitter in BJT
Vdd: .. Most time means to "Device", sometimes to drain in MOSFET
Vss: .. to source in MOSFET
同学们，还有疑问么？ |
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c*u
发帖数: 916 | 25 hehe, 这些都是纸上谈兵，是皓首穷经的TA的雕虫小技，如同孔乙几的知识，估计
实际应用中大拿高手们根本是天马行空，才不会管这些。
Circuit比较大，比如你可以把整个模块，甚至整个芯片叫做一个Circuit，一个
circuit中可能有各种电压源对各个Device供电。比如你可以用一个5V的电压源
给一个circuit供电(VCC)，然后这个circuit中还有一个Voltage Regulator把5V
变成3.3V，对一个MOSFET(device)供电(VDD)。当然如果你把你的小Circuit定义
成那个MOSFET，VCC又变化成3.3V。
如果你把VDD当作对Drain的供电，当然也可以，但是要记住nMOS和pMOS的Drain
的供电一正一负，同理NPN和PNP的BJT的Collector 供电也是不一样的，如果细究，
就会发现各种书籍，文献中错误百出，所以保险的方法是不用这些莫名其妙的东西，
直接标注电压值。 |
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S****d
发帖数: 298 | 26 难道当下最领先的deep submicron mosfet是等闲之辈做得好的吗？
mosfet |
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N**D
发帖数: 37 | 27 你这样说法已经提了很多年了，CMOS还不是到了现在，而且还能继续下去。至少Intel
是保持乐观的。除了单纯的scaling down,现在还有别的option来提高device
performance,比如strain silicon, Si-Ge, FinFET, multi-gate MOSFET, nanowire
MOSFET, even III-V on Si...这些都是可能的出路。现在还没有集中力量做，是因为
还没有到那一步，planar CMOS scaling down 还能继续。除了CMOS logic, memory 也
是一个很大的产业，而且由于memory本身的特点，相比于logic CMOS, 其device比较多
样，也有更多的创新，比如 innovative silicon 的single transistor DRAM,3-D
memory, phase change memory(当然，这不是基于CMOS)...总之，会有新的技术，新的
应用，新的产品出现，让这个行当继续下去。个人觉得，在solid state electronics
这个范围内， |
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g******u
发帖数: 3060 | 28 I'm looking for a MOSFET gate driver chip (either half bridge, or individual
driver).
You know that for high side FET driver, nowadays people use the bootstrap
capacitor, when it's dischaged, the FET is turned on. There should be some
chip with on-chip charging circuitry, that keep the capacitor recharged all
the time, thus the MOSFET can be kept always on if needed. This feature is
very important in motor controllers since it delivers more power to the load
when necessary.
I found Linear Tech L |
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f*****0
发帖数: 489 | 29 I am not sure if I understood your questions, or if you understood them
yourself.
it is next to impossible, if not out right impossible, to find drivers truly
capable of 100% duty cycle, especially on the high-side. it is doable in
theory but I haven't seen it done in practice.
so if you are indeed looking for 100% duty cycle half bridge drivers, well,
you need to change your design.
if you are talking about disable pin, well, just put a mosfet on the ground
pin and depleting that mosfet will tu |
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g*****g
发帖数: 3623 | 30 一家搞VRM MOSFET的start up，找AE
问偶
MOSFET Vgs 大于th，Ids开始导通，为什么 Vds 会维持到miller plateau才下降 我
ft |
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l******n
发帖数: 32 | 31 本人背景是做nanoscale MOSFETs simulation的，收到一个公司夏天做关于LED
characterization 的实习机会。有一点纠结是这个跟自己的research不是特别近，几
个月的实习工作不大可能会include到thesis里面；好的方面是可能学到些 LED和
characterization的东西。但是不知道这些对找工作有什么用处？LED和MOSFETs哪个就
业好些？感觉也就那么几大点的公司在做scaling research 了。请前辈和师兄师姐们
提点建议，先谢谢了。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 32 我看法？
学校的研究方向
nano scale silicon/SiGe MOSFET (Dual Fet,fin fet...)> Silicon/SiGe Memory>
III-V (MOSFET, HEMT,HBT...)(有绿卡的话无敌阿)transistor > solar cell> LED(太
累，技术很容易外流）> all other things |
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H*****l
发帖数: 702 | 33 sometimes I really doubt IBM's "ye wang"(prospect?) on semiconductor device
engineering...
at least three solid evidences so far...
1, SOI v.s. bulk silicon MOSFET
2, Gate first v.s. Gate Last
3, Graphene v.s. III-V (InGaAs) on Silicon MOSFET...
every single time, Intel is on the correct road... |
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h********t
发帖数: 555 | 34 the leakage is primarily due to sampling switches, not the silicon oxide between the capacitor top plate and bottom plate.Most CMOS processes are junction isolated. If you draw a structure of such MOSFET, you will see reverse biased PN junction associated with the MOSFET. The reverse biased PN junction has leakage current, which is exponentially increases with temperature.Even if you use a silicon-oxide isolated process, there is still some leakage current through the channel. The charge migh |
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g****t
发帖数: 31659 | 35 刚才翻了翻书。发现这个问题确实不简单。
hold circuit一般处理的都是比较短时间的hold,
leakage造成的drop的处理已经很复杂。
他原问题要求的hold时间，肯定比一般的
zero order hold之类东西里面的hold时间长不少。
所以我想，最佳方案可能还就是A/D然后把数字存起来。
the leakage is primarily due to sampling switches, not the silicon oxide
between the capacitor top plate and bottom plate.Most CMOS processes are
junction isolated. If you draw a structure of such MOSFET, you will see
reverse biased PN junction associated with the MOSFET. The reverse biased PN
junction has leakage current, which is exponent |
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gr
发帖数: 2958 | 36 对的。
你要知道用同步整流的场合和目的。
以及IGBT出现的目的，就会发现，IGBT出现是为了高压场合替代mosfet。
同步整流是MOSFET低压场合替代diode。
还差蛮远的。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 37 说实话，我不大喜欢大公司。
有次去谈事情，见了一堆所谓技术市场销售人士，等我问某个关键问题，他们都茫然，
然后请一个大牛出来解答。
我某任领导，TI工作２０－３０年被裁，虽说也算技术人士，但可谓什么都不懂。这人
就是一混的。
有个大半导体公司要我去面试，group有好几个人，做的方向实在太窄，低压mosfet应
用，这种东西有什么搞头。
我见过一些中小公司的人，虽说一般毕业学校很烂，但几年后都NB得很。单挑一个项目
设计，和专测一点mosfet switching loss的人做几年后区别还是不小。 |
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g****t
发帖数: 31659 | 38 能在TI混20-30年作领导的,多半属于你看不出来水平高在哪儿的另一个level.
技术都是虚的.钱反而不会撒谎的.一个人水平的高低,取决于给资本家赚了多少钱.
说实话，我不大喜欢大公司。
有次去谈事情，见了一堆所谓技术市场销售人士，等我问某个关键问题，他们都茫然，
然后请一个大牛出来解答。
我某任领导，TI工作２０－３０年被裁，虽说也算技术人士，但可谓什么都不懂。这人
就是一混的。
有个大半导体公司要我去面试，group有好几个人，做的方向实在太窄，低压mosfet应
用，这种东西有什么搞头。
我见过一些中小公司的人，虽说一般毕业学校很烂，但几年后都NB得很。单挑一个项目
设计，和专测一点mosfet switching loss的人做几年后区别还是不小。
要说单挑一个项目,那是不是国内山寨公司的人更牛 |
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B*****2
发帖数: 83 | 39 串联 is easy to burn the device as it is difficult to turn off 串联 mosfets
at the same time. Thus, if you want to use 串联 mosfets, the protection
circuit is a necessary. |
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q****e
发帖数: 793 | 40 Tunnel FET考不靠谱还不知道了
III V channel的MOSFET靠不靠谱啊？能不能取代Si MOSFET啊 |
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g******u
发帖数: 3060 | 41 用NCL30000做了个110VAC输入，3-12V,700mA恒流输出的电源。在负载为3-12V时输出电
流都只有120mA左右。
MOSFET驱动波形如图，正常工作一段时间后消失200us又启动。Vcc电压稳定。
此电路工作方式为对电容充电实现恒定开通时间，关断时间随交流输入的波形变化而实
现PFC. MOSFET source端检测原边电流只为保护。
请教一下可能是哪些原因？ |
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g******u
发帖数: 3060 | 42 用NCL30000做了个110VAC输入，3-12V,700mA恒流输出的电源。在负载为3-12V时输出电
流都只有120mA左右。
MOSFET驱动波形如图，正常工作一段时间后消失200us又启动。Vcc电压稳定。
此电路工作方式为对电容充电实现恒定开通时间，关断时间随交流输入的波形变化而实
现PFC. MOSFET source端检测原边电流只为保护。
请教一下可能是哪些原因？ |
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e*********t
发帖数: 16 | 43 Location: Phoenix, AZ
Skills: Design Engineer, Mosfet, Powered, Power Supplies
The role of a Staff Engineer is that of a highly competent and experienced
product design engineer. As such, the right candidate will be a key member
in the new Engineering organization in North America for Renewable Energy.
• Direct responsibility for the development of new state of the art
products in areas related to power electronics in the field of renewable
energy as a team member in one of the Desig... 阅读全帖 |
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p*********y
发帖数: 33 | 44 mosfet is offchip, how can I sense the mosfet current?
real
current |
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b********d
发帖数: 720 | 45 【 以下文字转载自 JobMarket 讨论区 】
发信人: brightmood (开心，努力，尽人事听天命), 信区: JobMarket
标 题: 材料，cleanroom,script level programming背景，求内推
发信站: BBS 未名空间站 (Sun Apr 28 17:14:07 2013, 美东)
夏天毕业的phd，女（参见头像）
skills:photolithography, dry/wet etch, sputter/e-beam evaporator deposition,
FET
conductivity measurement, AFM, electrochemistry, ellipsometry,UV-VIS,
surface profiler，thin film coating, Gaussian Computation,CAD,Python,MOSFET
做过的project主要涉及三方面：
1.photolithography,ebeam evaporator,dry/wet etch in cleanroom to fabri... 阅读全帖 |
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a*******d
发帖数: 128 | 46 Bad luck but things happen. 在Xmas的长假期的前一天被扫地出门。
因为过往的经历，今年自上班起就兢兢业业，一边努力完成安排的本职工作，一边时刻
关注业内动态，基本上每两周都会分析市场情况，着重剖析某家竞争对手的产品路线图
，总结本公司的竞争优势；季度末每家的财报情况和investor day的电话会议也是必听
的。所有的信息都会按照Working版上大牛的经验写成Recap来增加visibility。
时来天地皆同力，运去英雄不自由。今年的年终review，7.5分为满分的目标，完成了6
.5分（少掉的1分是公司整体的Variable Margin，自己控制不了）。即便如此，还是被
layoff（虽然manager和再上一级的老板都对我的工作表示满意）。
Anyway，为了自己和家人的生活，在版上自荐，希望能找到汽车和工业方面的高压功率
电子（MOSFET, IGBT, IGBT/MOSFET driver）方面的AE、FAE、Marketing/regional
Marketing的工作。肯请版上能内推或者有信息的业界同仁提供机会，站内联系。
非常感谢！... 阅读全帖 |
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m******g
发帖数: 621 | 47 谢谢@eeguy 详细分析
你说的7NM是指制程7NM（就是INTEL什么的称呼的）还是指MOSFET的实际CHANNEL
LENGTH为7NM。
我记得HIGH PERFORMANCE的INTEL 22NM好像LCH才30-32NM（具体数字忘了）
如果是前者，那么好像还有一段时间，如果是后者，那就很快了。
我们老师说ta觉得3-5好像不在MOSFET上不WORK，有些严重问题无法解决，短期内现实
的方法还是硅基
还有个问题，如果中国留学生的话，是不是去INTEL做这些顶尖研究比较困难？ |
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gr
发帖数: 2958 | 48 对的，开关频率。
IGBT，尤其大功率模块现在面临的主要问题就是开关频率上不去。
当然了，高开关频率在大功率场合有多少好出这个另说。
要是能做的跟MOSFET一样上个100k，200k玩儿一样，可能还是有用的。
不说别的，filter就小了好多。 |
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w****2
发帖数: 12072 | 49 我从来没有特指LCD产业，而是指所有半导体设备。你不知道LCD也常算在半导体产业吧
（三星就在几个月前把LCD并入半导体部门了）。我连LCD的大概原理都清楚，其实就是
背后发白光，中间每个像素都由半导体来控制液晶颗粒。我原文中的＂从95纳米到45纳
米＂就是半导体MOSFET的channel length。
实际上我是EE系的，偏重于计算机方面。我以前就知道台湾的半导体设备主要来自进口
，自身能力很差。只是以前以为美国最多，现在查了一下是日本最多。
"这些生产设备，大陆就算让胡温每天对着鬼子磕头也买不到。" 确实如此，台湾的地
位得益于西方的政策性扶持。很多生产线大陆是拿不到的，还有一些大陆虽可以拿到，
但拿货价远高于台湾的拿货价。西方本来就是通过这种＂听话的狗给肉吃＂的方式来操
纵的，你不想作狗就要自己奋斗。大陆一大群傻X不知道原委，就知道＂为什么它有肉
吃，因为制度好＂，＂为什么我们这么辛苦还没有肉吃＂，不知道＂它有肉吃其实是主
人给的＂。
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a*********x
发帖数: 709 | 50 原文地址：http://news.mydrivers.com/1/268/268603.htm
说起先进的半导体工艺，Intel、IBM、台积电、三星电子这些耳熟能详的名字肯定会立
刻出现在大家的脑海中，而因为各方面的限制，国内在这方面的差距还非常非常大，只
有中芯国际能拿得出手，但也总比国外落后几个时代。
不过据《中国科学报》最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心
（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究
与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/
金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。
由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因
而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺
研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。
这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。
优势互补 “穿插侦察”齐上阵
4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺
研... 阅读全帖 |
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