n*l
发帖数: 44 | 1 谢谢两位.. 思路理清不少.
所以说 scaling 会导致 non-constant field现象.. |
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s******7
发帖数: 1091 | 3 mosfet negative temp factor.
temp higher, crystal vibration higher, electrons free mean path shorter,
mobility decrease.
bipolar positive temp factor |
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s********l
发帖数: 35 | 4 楼上几位讨论的是MOSFET与温度的关系，这和片子是两回事。答案是不确定。 |
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f*****x
发帖数: 46 | 5 老板说可以直接在用4156在drain上用一个constant current， 然后用4156测source上
的电流，不需要用任何外接电路。我已经试过了，得到的source电压非常非常大，好像
把mosfet都弄坏了。哪位高手有这个方面的经验啊，指导一下吧 |
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g***i
发帖数: 795 | 6 这个听着有些奇怪，一般测Vth都是low Vd bias(<0.1V)，source/body ground, sweep
gate voltage, 4156有marco提取Vth。直接在drain上force current,如果Channel
off的话， 你会看到source或者drain Junction 有很大的bias (depends on type of
MOSFET you have). 最后就是junction breakdown, device damaged. |
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p******h
发帖数: 577 | 9 呵呵，我所在的公司就有产品。但是，能不能把MOSFET，电感等都放到一起？
功率多少？ |
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c******s
发帖数: 197 | 10 100V 40A RMS的电流，用FR-4的板子，1oz的copper（双面，外加表面推焊，加过孔散热
），只用d2pak封装的mosfet不加heatsink大家觉得能搞定么？另外一般D2PAK一般用什
么样子的heatsink？
谢谢 |
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h********t
发帖数: 555 | 11 biquad is a structure which can be realized in many different ways such as
gm-c, mosfet-c, switched capacitors, resistor+c+opamp, etc. Biquad is a
closed loop system. if you want to use gm-c in open loop,the gm will change
with temperature, process. if you don't care frequency response,gain
accuracy and linearity, feel free to do that. I don't see how that can
save power. |
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g*******r
发帖数: 140 | 12 My two cents:
1) It seldom to make a decision on topology between LC-Ladder and Cas-Biquad
according to power concerns.
2) The chocie of implementation is uaually related to DR. If specs of DR is
not high (40dB~60dB), Gm-C is the most power&area efficient implementations
for both topologies (LC-Ladder and Cas-Biquad). Opamp-MOSFET-C is usually
good for DR around 60dB ~80dB, even 90dB with good nonlinear cancellation
techniques. Opamp-RC is easy for DR >80dB.
Welcome comment, thanks! |
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g******u
发帖数: 3060 | 13 同意。
我自己没做过多少千瓦级别的电路。但是很明显其中还有变压器存在。在千瓦级电路里
，即使开关频率再高，IGBT或者MOSFET损耗对总体效率的影响还是有限的，但是用PWM
的话很明显变压器尺寸会变小，铜损会显著降低。脉宽调制的话很多器件必须要换成高
电流的，以此带来的成本和parasitic损耗都要加大。 |
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l******n
发帖数: 32 | 14 Many thanks!
I had some experience in extracting parameters from MOSFETs, but little
experiencein fabrication. I will take the intern -- it is just not what I
originally expected. I hoped to do the same research I did in university
while on intern so won't delay my research. Actually my research is very fit
for Intel TCAD group, but they just couldn't hire Chinese, let alone the
economy this year. |
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g******u
发帖数: 3060 | 15 从电机控制原理上来说应该确实差不多.除了用IGBT取代MOSFET,搞个大电流门驱动,感
觉也差不多.当然没搞过几百几千千瓦的电机传动,用怎样的sensor,lock rotor到底多
大...等等细节都是未知,不引起点事故还真难研究. |
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b***i
发帖数: 3043 | 16 我做的电路是10年前组里就有的，是这么个系统：
master端 发送信号给 slave 端，slave 有8个， 分布在0-10000M 距离,cable 相连。
cable 特性阻抗大约50-100欧姆， 我可以测一下，总电容 1uF, 总电感没测，芯层总
电阻125欧姆。
发送端不仅发送信号，还发送电压，所以是42-48伏特，可以想象成uart信号,1200-
2400 baud rate。这个6V 调制，接收端是高阻，但是由于电缆有电阻和电容，就变形
了。大概成了锯齿样子，不到6V了。如果是1200baud rate，还可以恢复挺好。
问题1：我的理解对不对：发送端电压信号，经过RC， 到达最远的接收端，信号变了形
，2400baud rate有 一定困难。在发送端电压从42升到48伏的时候，电流一部分给电容
充电，所以造成了这个问题。
现在还有个问题。 slave 返回的信号是电流信号，是mosfet控制的，12mA 幅度，有
限阻二极管，所以是不是电流信号会比原来的电压信号好一些？这个电流源如何模拟计
算？怎么理解这个返回的过程？master端有个电阻，然后在两端测量电压， |
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f*****0
发帖数: 489 | 17
not sure about their performance but this can be a great cure for global
warming and potentially a source of revenue as the government subsidize
carbon-sucking businesses, :).
having said that, on a different related venue, there are high current
diodes and switching transistors (mosfets?) using some kind of carbon. ST
I think made some of them. but I don't think they are the same as the
devices this article was talking about. |
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l***g
发帖数: 1035 | 18 circuit diagram please. |
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c******s
发帖数: 197 | 19 元件无过流，D-S无过压，上管无触发，不知道是管子先坏还是2110先挂(我觉得是管子
先坏了后高压加在栅极把driver烧了)，以前也从来没有遇到过这种情况，谢谢！ |
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g******u
发帖数: 3060 | 20 有可能gate resistor太小造成gate ringing过大?建议换成22ohm试试.
这个是经过多久坏的? 坏的情况如何?
你用的是什么FET? |
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c******s
发帖数: 197 | 22 我也这么想来着，只是没有去验证，昨天已经加了gate resistor 7.8ohm，不知道会怎
么样因为这个也不常发生。烧管子确实是在加大负载后发生的，有overkill的heatsink
，也有d-s的snubber，示波器上观察烧管前电流也是很平稳。管子是fairchild的200v5
2A，烧管子的时候电流大约20A
另外为什么看到凡是2110的片子gate resistor都是22ohm么，至少gate resistor应该和
fet的input capacitance有关吧，我用2110加1ohm的电阻驱动有些大管子，平率50k的时
候门及的脉冲都已经开始爬坡了。
谢谢！ |
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c******s
发帖数: 197 | 23 也是有可能，但为什么是d-g短路呢，可否解释一下？ |
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g******u
发帖数: 3060 | 24 有时FET坏了可能表现为不同现象的.
你看看把snubber去了以后drain电压是否还在允许范围以下,有时snubber调得不好会烧
芯片的. I've been there.你用的是RCD snubber么?
再观察一下电感. |
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c******s
发帖数: 197 | 25 rc的，原来50%overshoot，50Mhz震荡，加了以后15%overshoot没有明显的震荡，烧管子
加snubber前后都有，谢谢 |
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h*******y
发帖数: 896 | 27 are you sure the diagram is right??? |
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d****o
发帖数: 1112 | 28 snubber一般只管高频
只要那个电阻功率够大
能够处理给电容充放电的电流
就没问题
管子 |
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d****o
发帖数: 1112 | 29 D4, D5改成schottky的
另外你的switcher最好和100V那部分分开
用个单独的gate driver
switcher用opto coupler控制
100V。。。安全要求完全不一样了
干活小心
再看看有没有shot through
管子 |
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E*****a
发帖数: 757 | 31 你看来不是做电源的？
这个是个synchronous boost |
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c******s
发帖数: 197 | 32 synchronous boost没怎么见过，我的图没有画全，dc-link也是active的，这个
phaseleg是bidirectional，上面的管子是buck用的电池做负载，boost时候
不工作 |
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c******s
发帖数: 197 | 33 要求是不隔离的，越简单越好，上面的管子不工作的，只用diode,另外途中power电路
中的diode都是ultrafastdiode，恢复时间很短<45ns,我再观察观察各个点
的电压电流，再有问题再聊请教大家，谢谢 |
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g*****g
发帖数: 3623 | 34 Vgs too high due to ringing?
，谢 |
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p******h
发帖数: 577 | 35 Boost 电路一般要求用快恢复的二极管。会不会因为下管c dv/dt 导致gate 从d那边感应电压，引起误导通，从而烧管子？
，谢 |
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g******u
发帖数: 3060 | 36 have you tried 22 ohm as gate resistor yet?
There is another way to find the problem. Don't use the upper FET at all
since it's synchronous FET anyway, won't help much. Use a function generator
to drive the bottom FET, (put an optoisolator/signal transformer or fuse
there) and see if the FET still dies. |
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l***g
发帖数: 1035 | 37 add a desaturation protection bah.. |
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l***a
发帖数: 62 | 39 PHEMT has shotkky gate so there is always gate leakage.
MOSFET has insulator gate, so gate leakage is tiny. |
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H*****l
发帖数: 702 | 40 敢问大大
这个方向和chengming hu的方向有区别吗？
hu的学生也是作mosfet得模型的把，
他的学生在 arizona，带的学生2008年 冬天2009年初最不好找工作的时候也找到工作
了
难道区别在一个自己写code，作模型，一上面那个是用silvaco的tool |
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H*****l
发帖数: 702 | 41 不知道nano tube, wire能干吗
silicon mosfet那个里面当然包括VLSI CAD， simulation了
没光说fabrication阿，那些是从device到fabrication都有了
个人不看好bioxxx,memsxxx |
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H*****l
发帖数: 702 | 42 I know there are at least 2000 guys in the payroll of AMAT Sunfab group
and AMAT c-Si solar business group and renewable energy group (MOCVD)
are interviewing people every day....
but too many experineced engineers just ask for too high a paycheck which is
the most impossbile thing in this shitty market.
But I still confirmly believe that III-V MOSFET on Silicon, nanoscale FinFET
, and silicon memory are much much better than solar in the view of career
growth.
Since i am not clever at all, can |
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w**********w
发帖数: 11 | 43 multiphase voltage regulator（buck） 里面一般用的什么mosfet驱动，是用boostra
p类型的么？各位能否推荐一款驱动，贴片最好能手焊的soic8 之类的就好，谢谢 |
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w**********w
发帖数: 11 | 44 sorry about my poor chinese, I am trying to ask you guys to recommend a high
side mosfet driver. thank you
直接 |
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d****o
发帖数: 1112 | 45 what is your requirment?
Vin=?
Vout=?
Iout=?
usually switcher and mosfet driver already integrited together.
high |
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k******n
发帖数: 2 | 46 最便宜的办法，用IR的gatedriver＋bootstrap，但要注意duty cycle的限制
稍贵一些的话，IR有款battery charger专用芯片，集成Mosfet的，记不清楚了
奢侈一点的话，avago和NEC有opto gatedriver＋DC/DC converter
无聊的话，用pulse transformer |
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p******h
发帖数: 577 | 47 我除了用IR的mosfet，其他的不用。。。呵呵。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 48 很多3年contract的post doc还是能成功转进成正式员工pi 的
所谓失败，我的意思是没有科研价值，或者没有funding了
不过ibm这群坏淫，自己不靠volume production活，搞什么club license process害淫
。。。
之前搞nano tube mosfet,完成domenstartion以后立刻关门放狗
现在又炒graphene
最近high k gate又出issue,搞得一堆fab厂公开吐槽
不会玩到最后和motorola, bell lab一样基础的半导体研究彻底悲剧把。。。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 49 那组人反正是不在了
我说的是若干年以前，他们demo了一个技术，把carbon thin film切开，然后那个thin
film会自动卷成tube。
然后用那个做了nano tube MOSFET
还在某个会议上报道过，当时的动画演示很fancy...结果会结束没几天，那个group就
解散
当然我不清楚ibm是不是有复数组在用不同的approach做nano tube. |
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p******h
发帖数: 577 | 50 一般考虑voltage rating, current rating, 然后考虑Rdson, Qg，gate threshold等；
当然，还要比较价格，package。首先是电气方面的性能，然后考虑价格和物理尺寸等。
不过，选好了几个，拿来在电路里面测试一下，比较一些你所考虑的性能。
集成工艺里面也好考虑，毕竟集成的mosfet也有不同的参数。 |
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