l*****i
发帖数: 296 | 1 if Rz is a mosfet, then it should be connected to the 1st stage as the 2nd
stage output has a larger swing, which may influence the value of Rz. |
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h*******a
发帖数: 184 | 2 IT泡沫出来前的技术不也是老东西吗？MOSFET管（70s)，集成电路(50s)，计算机(40s)等80年代就有了啊。CDMA也在90年代前期也出现了，对于2000年左右的IT泡沫不也算是老东西吗？ |
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gr
发帖数: 2958 | 3 MOSFET也更新了十几代了吧。
咋能叫老东西？
40s)等80年代就有了啊。CDMA也在90年代前期也出现了，对于2000年左右的IT泡沫不也
算是老东西吗？ |
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p******h
发帖数: 577 | 4 peak current mode control 和average current mode control不同，后者有一个调节
电流的专门的调节器。所以，概念比较清楚。但是，peak current mode control并没
有这样一个调节器（或者认为是一个比例调节器，current sense gain)。peak
current 和电压调节环出来的控制量进行比较，所得到的误差，然后再通过一个固定频
率的 ramp产生pwm。
这样，当输出电压减小，电压环输出增加，要求电流的峰值跟着提高。因为电流环比较
快，所以电流响应就会很快，及时的把输出电压拉回来。
peak current 一般采样的是mosfet上的电流，否则这个peak值的意义就没有了。
调节
来控 |
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g****t
发帖数: 31659 | 5 还是这个分析最好.
这个peak current有两个环.
如果内环和外环响应速度差别不大,那么内外环就不能分开分析.
这种情况下,直观解释是没用的,因为两个负反馈有可能可以组合出来一个正反馈.
IMO,内外环可以近似没有耦合,才是最重要的东西.
没有这个条件,那就只能具体线性化,算零极点,才能看出来是负反馈.
peak current mode control 和average current mode control不同，后者有一个调节
电流的专门的调节器。所以，概念比较清楚。但是，peak current mode control并没
有这样一个调节器（或者认为是一个比例调节器，current sense gain)。peak
current 和电压调节环出来的控制量进行比较，所得到的误差，然后再通过一个固定频
率的 ramp产生pwm。
这样，当输出电压减小，电压环输出增加，要求电流的峰值跟着提高。因为电流环比较
快，所以电流响应就会很快，及时的把输出电压拉回来。
peak current 一般采样的是mosfet上的电流，否则这个peak值的意义就没有了。
调节
来控 |
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gr
发帖数: 2958 | 6 呵呵，
你说我被揭穿啥了啊？
是97%的效率你不相信？还是我会设计逆变器你不相信？
97%的效率你不相信，自己去看文章，用的啥方法啥器件都写了，内行可能看看心理就
有数了。
你的话，可以自己搭一个试试嘛。哦，我忘记了，你不会搭。你听说过MOSFET么？知道
怎么驱
动他么？这部分电路我没写上去。呵呵
至于设计逆变器啥的，也没啥好争的，不就是设计嘛，
其实我觉得做vrm技术含量更高一些，效率，体积，功率密度啥的，一个都不能少，问
题要考
虑的非常细，记得以前师兄调vrm很有感触的说，1M的时候，样机一切正常，一上到
2MHz什么
问题都出来了。 |
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gr
发帖数: 2958 | 7 嗯，好像是这么回事，开始跟symage mm说的那篇文章也这个结论。
Optimal Design of a Compact 99.3% Efficient Single-Phase PFC Rectifier
虽然人效率99%了，还是diode的问题最大。
又不能不用diode，高压mosfet同步整流效率也不会高。
上次我设计一个200W的整到600V母线的也是diode占不少一部分。
可以让他们试试SiC，可能能强点，如果成本还可以再提高一点的话。 |
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q******3
发帖数: 275 | 8 半导体内部结构尺寸小
mosfet和IGBT内部是由很多channel构成的
而且高压大功耗 要做高性能 低故障率很难的
电子电力的器件都是大尺寸的，应该比90nm, 65nm,什么的好做吧?为什么国内也不行? |
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b***y
发帖数: 4592 | 9 我有点糊涂，你没反馈怎么控制mosfet
馈回到 |
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gr
发帖数: 2958 | 10 嗯，flyback就是cheap吧。
MOSFET的成本占其实变换器成本的大头对吧。
应用这么广泛也是有原因的。 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 11 thin film device的课可能没啥用
但是如果是mosfet的fabrication那你就必须熟记在心。
你搞digital 的，面试时除了你vhdl/verilog必须精通外，还有一部分知识就是vlsi,
digital circuit 的layout之类，这个对fabrication的过程要求很高。
你出去面试看看，都要那些知识 |
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c***u
发帖数: 843 | 12 大家能否推荐一些关于noise的书籍或者paper? 有没有关于HEMT里面phase noise的书
？ MOSFET的书也行？
多谢！！ |
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y*****c
发帖数: 30 | 13 我的毕业课题方向还没有定下来，正在跟老师讨论。
他给了我几个题目
• High voltage packaging for SMART GRID Applications
• Simulate, design and fabricate a high temp gate driver for SiC JFets
/MosFets
• ‘Optimal Designer’ of autonomous, alternative-energy supplied
systems
• Electromagnetic modeling of energy interconnects
• High Temperature operation of heavily doped silicon devices
我自己比较感兴趣的是电源管理。
我的目标是找工作，想利用这个毕业设计做个让自己好找工作的项目。
不拘于以上的东西，老师让我慢慢想，请教下各位有关Analog/Mixed Signal/Power
Electronics的比较热的方向或者说 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 14 这个反驳的明显也有问题
这个MOS人家说的应该是discrete mosFETs，不是芯片里的CMOS
ZTE |
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s******p
发帖数: 4962 | 15 现在有人用分立的么？
成本要高吧
我也不相信一个控制芯片，6-12个MOSFET就能搞定？ |
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s******p
发帖数: 4962 | 16 控制芯片需要多大的功率？
12个MOSFET就能搞定？ |
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R****s
发帖数: 635 | 17 主要是关于DC-DC和AC-DC converter设计的。
希望比较实用。
最好能有以下的topic：
- 1kW左右的大功率开关电源设计
- IGBT或者大功率MOSFET
- 变压器设计
- 反馈环路设计
兄弟在此感激不尽，包子奉送。 |
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i*****p
发帖数: 8 | 18 要通过100A的电流，算了下铺3oz上下两层的铜线大概也要600mil宽才行，然后再汇聚
到器件引脚。这样可行么？这块板上有三组全桥电路，12个管子。或者，加上飞线的话
，可行么？飞线应该如何处理？
第一次发贴，望不吝赐教！谢谢 |
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g******u
发帖数: 3060 | 19 当然可行。
我做过的一个低压高电流电机控制板是把几个TO22０平放，然后铺一块共同大铜地，１
００A没有问题。 |
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i*****p
发帖数: 8 | 20 多谢，那我就有谱了。
主要以前没用过这种封装100A左右的管子。
还有，按你那样就仅靠PCB板散热？
我这块板上有12个片子，硬开关，100k Hz.我怕得上大的heatsink |
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g******u
发帖数: 3060 | 21 100k频率挺高啊，你是电源还是电机？
我是扳倒以后drain在上面，然后一起铺一层绝缘再加一大块铝来散热。 |
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i*****p
发帖数: 8 | 22 电源，DC BUS电压较低，只有50V。但功率较大。
你那样做的话 in-house assembly估计比较困难，片子不好焊上去，万一烧了也拿不下
来。
我打算还是立起来放，另加散热片。 |
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l***g
发帖数: 1035 | 23 do 6oz.. there are some pcb houses can do it.. |
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l***g
发帖数: 1035 | 24 and parallel several fets to reduce the current to each one |
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l***g
发帖数: 1035 | 25 did u do calculation on the heat transfer? vertical placement makes it hard
to choose heatsink. |
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g******u
发帖数: 3060 | 26 based on some materials I read before, from 1oz to 2oz, it's a big
difference, but not much for more oz. not a linear function, but costs more. |
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g******u
发帖数: 3060 | 27 我当时需要做得很扁，所以横放是唯一选择。
竖放虽然没问题，可是在１００A你需要很大的散热片，打洞不易，也不容易散得均匀。 |
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d****o
发帖数: 1112 | 28 I think he should calculate power consumption on these FETs, then use therma
l resistance of FETs to figure out cooling solution.
匀。 |
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l***g
发帖数: 1035 | 29 thanks
right it's non linear so the dynamic response would be non linear. I have on
e implemented with PI only it is stable but I feel it is a bit slow. For thi
s controller I have a changing input (fast change) and a constant Vout. I wo
nder if linearation may help. I have a linearized model i'm going to try nex
t if time is allowed. I have to be very careful not to over voltage the outp
ut (clamping the duty) so my mosfet won't blow up... |
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x*****i
发帖数: 97 | 30 是不是只有MOSFET才可以？因为其电流可以双向导通？ |
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gr
发帖数: 2958 | 32 确实有个寄生二级管，
但是一般大module的package里面还会放一个二极管的die进去一起封起来，做一个管子
用。
这点IGBT用起来跟MOSFET不大一样。 |
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s**********s
发帖数: 47 | 33 IGBT and MOSFET are totally different with regard to output stage -- though
gate/control stage are very similar. Further more, you shoudl understand
what "同步整流" mean.
Good Luck. |
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T******T
发帖数: 3066 | 34 mosfet apps ? that's pretty narrow I agree. Most apps guys have
marketing career path in mind though. |
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p***e
发帖数: 472 | 35 电流如果不大的话，可以考虑用power mosfet，或者串联？ |
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m*******e
发帖数: 119 | 36 有可能是velocity saturation effect.因为你的bias voltage比较高，那些channel短
的可能有carrier velocity saturation,导致实际的Id降低，等效于Vt增加；channel
长的（比如10um)没有velocity saturation,这时Id与W/L成比例。这也解释为什么L很
大时，"Vt"就稳定下来，不再降低。你的这些channel长度和bias可能导致一部分L小的
器件受velocity saturation影响，一部分L大的器件不受velocity saturation影响。L
越小，由velocity saturation 导致的Id的降低越大。
你可以试试设比较低的Vgs 和 Vdsat，在很低电压的情况下，velocity saturation 也
许不会发生，这时Id会按W/L成比例变化。
其它可能的影响因素有：contact resistance (or series resistance) 和effective
channel length. Contact resistance 不会随L而改变，因... 阅读全帖 |
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g******u
发帖数: 3060 | 37 你需要多少电流？这个是关键。
最简单的是绕个变压器，一端12V放中间，两侧mosfet 100kHZ形成方波，输出端整流滤
波即可。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 38 I went to some big company interviewes for apps and found some positions are
quite boring, especially in headquarters. There is some title called senior
engineer on low voltage MOSFET app, how complicated is that? But some local office may require apps to design whole system, that's better.
Anyway I'm not optimistic about <100W app engineering, Chinese guys can do
same designs way cheaper. You may end up working hard but the position was
outsourced.
But if you are a full round designer-- design ... 阅读全帖 |
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E*****a
发帖数: 757 | 39 这是mosfet push pull 输出级吧？ |
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h*******y
发帖数: 896 | 40 If your background matches this position, please send me your resume
(email needed).
========================
Job Description: Power Electronics Engineer
Job Posting : Feb 4, 2011
Primary Location : US-AZ-Tempe (AZ34)
Job : System Architecture
Scope of Responsibilities inlcude:
* Collaborating with XXXXXX development partners in the design and
development of advanced vehicle drive, battery management and power
conversion systems.
* Designing, building, testing and validating hardware... 阅读全帖 |
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h*******y
发帖数: 896 | 41 send me your resume if your background matches this position very well
========================================
Job Posting: Feb 22, 2011
Primary Location: US-MI-Detroit (MI28)
Job: Intern (technical)
Education Level: Bachelor's Degree
Scope of Responsibilities/Expectations
Working in association with senior design engineers, conduct analytical
studies on engineering proposals to develop design for electronic components
, products and systems for automotive, analog and digital semiconductor, and... 阅读全帖 |
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gr
发帖数: 2958 | 42 建议找一个MOSFET的的datasheet，看看，就用那个半桥法测开关时间那个电路就行，
如果15V 70A 出200ns的话，估计30V，70A的管子已经足够了，再大了开关速度就慢了。 |
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b***y
发帖数: 4592 | 43 就是用个电感短路其中一个MOSFET/IGBT,然后在另一个门级加pulse,这样电流小些
硬短路的话电流随随便便就几千A了 |
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I***a
发帖数: 704 | 44 n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
to
it |
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H*****l
发帖数: 702 | 46 拜牛人
他们已经和SVTA谈好了
还找了y校的AP一起忽悠 |
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w********o
发帖数: 10088 | 47 svta要价可真不低啊
我这里整不了p-type的，不然送你lp几片都行 |
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s********n
发帖数: 319 | 48 面试已经fail
题目如下：
驱动电路设计，65kV直流电，分成了32kV正负，现在，HV_load要做switching，现有设计是
20Hz，50/50 duty cycle，不是很满足要求，需要快速的，怎搞？
现有设计基于串联relay的，给我一个图纸让我读图，没做过高压产品所以fail了，后
来回家找找，似乎是feed forward+升压电路的，因为说要reset transformer，看到很
多relay，而且在close loop时候，opamp的负极（高压反馈信号输入）还人为加了偏压
来自mcu，彻底晕了。
回家找到的方案都是dc－》inverter－》升压，如果是feed fwd+升压，似乎还真的只
有这家这么做。但我没有找到快速切换高压的方案，有些relay和igbt串联应用，或者
xform驱动mosfet，但是没有找到具体文档。
最讨厌这种读图的了，把一个开发了好几个月的产品电路图一摆，做过还好，没做过
，有些东西真是瞎猜，他随便画个框框标上part number，然后问你这个做什么用。 |
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w********o
发帖数: 10088 | 49 我大胆预言，以后vertical结构会取代现在的MOSFET，但不会是hbt这种vertical的
否定之否定，又不是简单重复，3d的趋势谁也挡不了啊。tunneling fet倒是有望利用
vertical的优势的
nanowire没戏 |
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gr
发帖数: 2958 | 50 土问一个，现在的power mosfet不都是垂直结构的么？ |
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